安盛半导体
网站首页 |公司介绍 |库存中心 |品牌中心 |新闻资讯 |在线询价 |联系我们
IC型号查找: 
安盛半导体
IC库存索引:A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
最新IC库存  
新闻资讯
当前位置:首页 > 新闻资讯  


Littelfuse的瞬态抑制二极管阵列对抗静电放电(ESD)和雷击导致的浪涌现象的性能比同类产品强40%。
发布时间:2013/8/20 14:45:40

 伊利诺伊州芝加哥2013年7月11日讯——全球电路保护领域的领先企业 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领军企业,该公司今日宣布推出SRDA3.3系列瞬态抑制二极管——SPA®系列二极管。 SRDA3.3系列 将低电容控向二极管与附加的齐纳二极管相结合,以保护数据线路免受静电放电(ESD)和高浪涌事故的危害。 SRDA3.3系列设备的保护能力比其他可用解决方案高40%,且性能也毫不逊色。 这些设备的瞬变功耗最高为600W,电源处理能力比市场同类解决方案高出20%。 SRDA3.3系列的低负载电容为10pF (最大值), 比其他解决方案低50%,这使得该产品成为保护电信接口的理想选择,且无需牺牲信号的完整性。

应用包括T1/E1/T3/E3高速电信数据线、xDSL接口、RS-232/RS-485接口、10/100以太网接口和视频线的第三级(IC侧)保护。

“SRDA3.3系列瞬态抑制二极管阵列的卓越浪涌保护能力、功率耗损以及ESD性能使设计工程师能够更加灵活地根据行业标准针对电气威胁设计更大的余量,”瞬态抑制二极管阵列产品线总监Chad Marak表示。 “这些设备的低动态电阻能够确保极低的电容负载,有助于保护如今日益敏感的芯片集,以免芯片过早失效。”

SRDA3.3系列瞬态抑制二极管阵列具有以下主要功能与特色:

功能与特色
• 强大的浪涌保护:雷击,IEC61000-4-5, 35A (8/20µs);峰值脉冲功率,600W(8/20µs)
• 极低的动态电阻(RDYN),仅为0.5Ω
• I/O到GND的低电容为8pF (typ) /10pF(最大)
• 增强的ESD能力:ESD,IEC61000-4-2,±30kV触头,±30kV(空气)

特色
• 比市场上类似解决方案高40%的浪涌和高20%的电源处理能力;为监管标准规定的电气威胁提供更多经营开支
• 为敏感的芯片集提供极低的箝位电压,防止其发生灾难性故障并最大程度地提高系统可靠性 
• 比其他解决方案低50]}%的最大电容有助于保持信号完整性,并将传输过程中的数据丢失降至最低 
• 增强的ESD保护性能远超IEC61000-4-2标准的最高等级(±8kV)



  • 热销库存

    EP4SE360H2   EP4SE360F4   EP4SE290F3  
    EP4SE230F2   EP4SE110F2   EP4SGX530N  
    EP4SGX530K   EP4SGX530H   EP4SGX230K  
  • 优势库存

    EPF10K50FI   EPF10K50FI   EPF10K500V  
    EPF10K30AF   EPF10K200S   EPF10K200S  
    EPF10K50VB   EPM9560ABI   EPM8820ABI  
  • 热门IC品牌

    MICROCHIP   TOSHIBA   NXP  
    VISHAY   INFINEON   TI  
    AVAGO   ADI   ST  
  • 关于我们

  • 公司简介
  • 招聘信息
  • 联系我们


  • © 2013 -2017 深圳市安盛创科技有限公司 版权所有    粤ICP备12084219号