加利福尼亚州圣克拉拉 - 7月17日，2012 - 瑞萨电子加州东部实验室（CEL）出货新的SiGe：C高频率低噪声晶体管，NESG7030M04。

主要特点

NESG7030M04的SiGe：C低噪声晶体管提供低噪声指数和高增益低功耗UHF到6GHz。

金属制品业瑞萨最新100GHz的FT的SiGe：C工艺，NESG7030M045-6GHz的802.11ac标准的Wi-Fi是一种理想的LNA器件，电子不停车收费，而一般的短距离无线通信。

技术信息

典型规格包括5.8GHz的噪声系数为0.75 dB和相关增益14分贝，同时要求偏置电压只有2V和5mA的电流。

的NESG7030M04瑞萨符合RoHS标准的扁平引线M04封装（SOT-343F型）。定价和供货情况NESG7030M04现在是在股票和可。定价为35美分在100K的数量和可散装，磁带和卷轴。