瑞萨科技的新CMOS高功率SPDT开关IC 发布时间:2013/7/11 10:51:22
SPDT UPD5902T7K是理想的3G/4G/LTE多模手机,毫微微小区,RFID,和任何RF应用要求高功率处理SPDT开关圣克拉拉,加利福尼亚 - 2012年10月19日 - 瑞萨电子加州东部实验室(CEL)是现在的生产性
全新的CMOS高功率SPDT开关IC,的UPD5902T7K。
主要特点
开关IC工作UPD5902T7K到6GHz和处理+35 dBm的射频输入功率低插入损耗,高线性度,低谐波,低电压操作和高ESD免疫力,在低高度2mm封装交付。内置的逻辑控制器,允许用户控制SPDT只有一个低电压(低至1.3V)控制线。不需要隔直电容,进一步简化了设计,减少电路的尺寸和这个CMOS SPDTBOM成本。较高的ESD(1.2KV HBM),使客户能够简化他们的ESD保护电路。
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