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FM25V10-G原装现货供应|RAMTRON品牌代理|价格|图片|PDF 发布时间：2013/6/7 11:28:43 特点 1M位非易失性铁电RAM
•组织为128K×8位
•高耐久性100万亿（1014）的读/写
•10年的数据保存
•无需等待™写入
•先进的高可靠性铁电工艺
非常快速串行外设接口 - SPI
•高达40 MHz的频率
•直接更换硬件串行闪存
•SPI模式0＆3（CPOL，CPHA=0,0＆1,1）
写保护计划
•硬件保护
•软件保护
设备ID和序列号
•设备ID读出制造商ID零件ID
•独特的序列号（FM25VN10）
低电压，低功耗
•低工作电压2.0V - 3.6V
•90μA待机电流（典型值）
•5μA睡眠模式电流（典型值）
行业标准配置
•工业级温度-40°C至+85°C
•8-pin的“绿色”/ RoHS指令的SOIC包装
描述
FM25V10是1兆位非易失性存储器采用先进的铁电工艺。一铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性和执行读取和写入像RAM中。它提供了可靠的数据保存10年同时消除了复杂性，开销，并系统级的可靠性问题引起串行闪存和其它非易失性存储器。串行闪存不同，FM25V10执行写操作总线速度。没有写延迟产生。数据被写入到立即使存储器阵列后，已被转移到该设备。接下来总线周期可能展开，而不需要对数据进行轮询。该产品提供了非常高的写耐力，量级更多的耐力比串行闪存。此外，F-RAM具有更低的功耗串行闪存的能耗比。这些功能使FM25V10理想非易失性存储器应用需要频繁或快速写入或低功耗运行。示例范围从数据收集，其中的数量写周期可能是至关重要的，要求苛刻的工业控制串行闪存的写入时间长导致数据丢失。FM25V10提供给用户的实实在在的好处下拉更换硬件串行闪存。这些设备采用高速SPI总线，提高F-RAM的高速写入能力
技术。提供了一个独特的FM25VN10序列号是只读和可用于电路板或系统识别。这两款器件集成一个只读器件ID，允许主机确定的制造商，产品密度和产品版本。这些器件保证在一个工业温度范围为-40°C至+85°C。
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