•浮动通道设计为引导操作全面运作,以+500 V或+600伏耐负瞬态电压的dV / dt免疫•栅极驱动电压范围从10到20V•两个通道欠压锁定•3.3V逻辑兼容单独的逻辑电源范围为3.3V至20V逻辑与电源地±5V偏置•CMOS施密特触发输入上拉下来•逐周期边沿触发关断逻辑
描述
IR2110/IR2113是高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低设计驱动器跨导。传输延迟匹配,以简化在高频应用中使用。该浮动通道可用于高侧配置中驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT工作频率高达500伏或600伏。