描述
IR2304(S)是高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立的高,低侧参考输出频道。专有HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准兼容的CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低设计驱动交叉传导。浮动通道可用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置运行在高达600伏。
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续超过这一限度损坏设备可能会发生。所有电压参数绝对电压参考COM,所有电流被定义成任何铅阳性。热电阻和功率耗散额定值计量板下安装和静止空气条件。