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10A,1200V碳化硅 肖特基整流器的改进 高温性能
发布时间:2013/5/20 15:42:37

 财报显示2013年3月12日美国纽约中央半导体公布了csic10-1200

10安培1200伏特的碳化硅肖特基整流器的高频系统的设计能源效率和热性能的关键设计元素包装在to-220-2(2铅)环氧模塑通孔的情况下这个装置是理想的应用遇到的温度到175°C.此设备的应用包括逆变电源,工业电机驱动器开关电源功率因数校正和过流保护提供csic10-1200切换稳定55°℃到175℃的温度范围,°保持低正向电压损失碳化硅具有更高的反向的好处电压较高的操作温度性能提高热效率和温度独立的开关性能所有这些都有助于提高系统的效率csic10-1200起价6.80美元每100装在50件每个样品可根据

中央半导体公司生产创新的分立半导体满足设计工程师们不断变化的挑战



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