|
IC库存索引: | A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
最新IC库存 |
新闻资讯 |
当前位置:首页 > 新闻资讯 |
EP1AGX50DF1152I6N
EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
新日本无线和电装公司签订了关于功率半导体「超结MOS管」的技术许可协议 发布时间:2013/4/29 11:17:15 新日本无线株式会社(总部:东京都中央区 社长:小仓 良)一直和株式会社电装(总部:爱知县刈谷市 社长:加藤 宣明)通过车载半导体的业务往来保持着良好的合作关系。电装公司开发了能实现低导通阻抗的世界顶级水平*1的功率半导体「Super Junction MOS晶体管」(以下称超结MOS管)。新日本无线率先和电装公司签订了该技术许可协议。 电装公司开发的超结MOS管采用了独创的「沟道掩埋外延生长」技术,芯片每单位面积的导通阻抗与现有产品相比降低了大约1/2,因此对电源产品来说更容易实现省电和小型化。 新日本无线将从2013年8月开始量产20A级别的MOS管,主要致力于对省电和小型化要求比较高的电脑用电源、功率调节器、AC适配器等领域的产品,并顺次开发30A及10A级别产品,逐步扩大事业范围。
新日本无线作为「环保型企业」是特别重视环境、能源的日清纺集团的一员,推出节能型的功率半导体产品将利于推进低碳社会的建设。 *1 2013年2月为止 新日本无线调查结果
【开发产品特点】
【应用】电脑用电源、功率调节器、AC适配器 等 |
|