超低功耗设计随着时代的发展步入一个新时代的纳安级挑战，模拟设计师寻求了一套新的工具，使他们的任务更加严格，以避免一些常用的半导体设备的局限性。配对的四核/双N沟道增强型MOSFET阵列，在工厂使用ALD EPAD®CMOS技术相匹配，提供这些工具，因为他们实现行业第一的里程碑阈值电压为+0.20 V 这种低门槛为+0.20 V精度公差为+ / - 0.02V + / - 10mV的失调提供设计师仅仅纳瓦的功率上运行的电路设计能力。随着非常严格的公差，极低的的EPAD增强模式MOSFET的阈值电压支持的操作的无数应用范围跨越众多行业，如仪器仪表，军工，航空航天，工业控制和医疗仅举几例。由于能够工作在一个第十电源电压的有竞争力的设备，这些设备可以使用的模拟电路来构建各种具有极低的电源或偏置电压电平，例如一个放大器工作在0.20V。纳安级操作，或电路操作小于一微瓦，为电子行业一直是一个可望而不可及的目标，“约翰说，营销总监的ALD Skurla。“ALD现在提供这种可能性超低功耗增强模式EPAD MOSFET阵列，使细腻传感器敏感和关键的安全应用程序从远程位置操作。甚至是便携式医疗设备的运行寿命长，算的上可以精确控制电压电路与受益。世界需要从各种电子设备和这些高精度纳安级EPAD MOSFET的低电压操作将有助于使行业以实现这一目标。“ 在极低的阈值电压和精确的公差范围EPAD MOSFET的都做可能通过ALD的专利EPADÒ技术，这使得这些设备在出厂时为这些特殊规格的第一次电修剪。该系列器件将发挥重要的作用，在很多具体的模拟电路，如电流源，电流镜，离散差分放大器和模拟多路复用器，只是仅举几例。特定部分号码ALD110802/ALD110902，ALD110804/ALD110904他们。四和PDIP和​​SOIC封装的双通道器件的每个版本。