|
|
ALD EPAD®MOSFET阵列介绍革命独立设备的控制
发布时间：2013/4/10 11:12:30
新一代零阈值电压EPAD™设计，使电路在低电源电压环境具有更大的经营范围
|
| 加州桑尼维尔2013年3月12日-先进的线性器件公司（ALD），模拟半导体设计创新的领导者，今天宣布了一项行业突破，在小信号精密匹配的，能够独立控制每个设备在一个四低功率MOSFET包。这种创新的能力将提供电路设计者提供了前所未有的灵活性，开发新一代能源收集系统和低功耗的移动设备。ALD210800A/ALD210800精密N-沟道MOSFET阵列具有零阈值™建立了新的行业基准正向跨导和输出电压电导。ALD的探明EPAD™CMOS技术设计，阵列允许电路设计师来打造超低电源电压从未之前可能。的改变游戏规则的能力的设备都启用了以下独特的功能：•零门阈值电压V GS （TH）正是在+0.00 V + / - 0.01V •V OS（V GS（TH）匹配）2MV /最大10mV的亚阈值电压或纳米功率操作的设备的精度参数设置使革命的能力：•<100 mV最小。工作电压<1nA的最小。工作电流<1NW最小。包中的每一个设备的独立控制操作电源电路设计的影响将变换电路设计，使每个MOSFET具有不同的输入和输出要求。这进一步降低了系统的尺寸和重量分立MOSFET电路的足迹萎缩高达50％，大大降低了电路板的房地产，复杂性，成本和时间将产品推向市场。ALD210800A/ALD210800精密N沟道MOSFET阵列，可以帮助设计人员减少所需的移动设备的电池的数目。改变游戏规则的灵活性的设备，也适用于医疗设备，提高能源利用效率和电池寿命提高保费耳机的音频质量和消费电子设备的能量收集系统，扩大经营范围，提高灵敏度传感器阵列和许多其他超低电压和低功耗应用。ALD210800A/ALD210800 MOSFET阵列的设计赋予设计师建立带有多个级联阶段工作在极低的电源/偏置电压等级的电路。它现在可以建立一个纳安输入级放大器工作在0.2V电源电压-一个新的行业成就。“EPAD最新一代的零阈值MOSFET，使设计人员能够保持低功耗和低电压，但会增加电流驱动器允许一个范围更广，传感器，变压器和其他需要更高的工作负载电流的电路，ALD公司总裁兼首席执行官罗伯特说：“超，。“的ALD210800A/ALD210800 MOSFET阵列代表国家最先进的精密器件的特性将触动掀起了一股创新类电路运行参数，以前不可能。” 技术特点除了家庭为增强EPAD ALD110800A/ALD110800™配对的MOSFET，新ALD210800A/ALD210800阵列配备了业界第一款零ThresholdTM的电压，使电路设计，输入/输出信号参考GND增强工作电压范围，超低工作电压环境。MOSFET均设计为特殊设备的电气特性与栅极阈值电压V GS（TH）正是在+0.00 V + / - 0.01V，我DS = 10μA@ V DS = 0.1V，具有典型失调电压匹配+ / - 0.001V（1mV的）。此外，的ALD210800A/ALD210800的MOSFET的目的范围广泛的模拟应用，例如电流镜，匹配电路，电流源，差分放大器的输入级，传输门，作为多功能的设计成分多路复用器。他们还擅长在有限的工作电压非常低的水平，如电压钳和常纳安级电路的应用，每个单独的MOSFET也具有严格控制的生产特点，提供精确的设计限制生产批次不同。他们是专为最低的失调电压和差热反应，而且他们在+0.1 V至+10 V（+ / - 0.05V至+ /-5V）供电系统的开关和放大应用，可用于要求低输入偏置电流，低输入电容，开关速度快。在V GS > 0.00V，该设备具有增强模式的特点。在V GS <0.00V耗尽型器件工作在先进的线性器件，先进的线性器件公司（ALD）是一家集设计创新领先的模拟半导体供应商，专注于开发和制造精密CMOS线性集成电路，包括模拟开关，A / D转换器和芯片组，电压比较器，运算放大器，模拟计时器，传统和EPAD MOSFET晶体管。 |
|
最新IC库存 
EP1AGX50DF1152I6N