美国加州Aliso Viejo的，， 2013年3月14日 日电/美通社亚洲/ - Microsemi公司（纳斯达克：MSCC） ，不同功率的半导体解决方案的领先供应商，安全性，可靠性和性能，今天宣布推出的十几家新的设备在其新一代的1200伏（V）的非穿通型（NPT） IGBT的，其中包括25A，50A和70A的额定电流。

（标志：http://photos.prnewswire.com/prnh/20110909/MM66070LOGO）

Microsemi的的“不扩散核武器条约”IGBT产品系列是专为广泛的工业应用要求高功率和高的性能，非常适合于电弧焊机，太阳能逆变器，不间断和开关式电源供应器与最新的设备。这个1200V的产品族中的所有的设备的基础上Microsemi的先进的功率MOS 8 ^™技术，使有竞争力的解决方案相比，一个显着减少至少20％的总开关损耗和传导损耗。

一致的产品系列中的所有设备， Microsemi的“新”不扩散核武器条约“IGBT解决方案可以打包 Microsemi的的弗雷德或碳化硅的肖特基二极管为工程师提供一个高度集成的解决方案，使他们能够简化产品的开发力度。其他功能包括：

• 显着降低栅极电荷，比同类设备，从而实现更快的开关;
• 硬开关操作大于80千赫，从而实现高效的电源转换;
• 易于并行的V CESAT（正温度系数），以改善在高功率应用的可靠性;
• 短路承受时间额定功率（SCWT）的，在短路能力的应用提供了可靠的操作。

除了设备的好处， Microsemi的提供NPT IGBT的大表面贴装背面焊性ð ³包，使设计人员能够实现更高的功率密度和更低的制造成本。

封装及供货
Microsemi的的1200V NPT IGBT产品系列现在包括超过20个设备的额定电流为25A，40A，50A，70A和85A。IGBT产品在D ³，TO-247，T-MAX，TO-264和SOT-227封装。

这些新器件的生产。如需了解更多信息，或获取的样本，请电邮sales.support microsemi.com“或“请联系您当地的经销商或Microsemi的 销售代表。