特点

•单2.5V或2.7V至3.6V电源

•急流城串行接口：66MHz的最大时钟频率

- SPI兼容模式0和3

•用户可配置的页面大小

- 256字节每页

- 264字节每页

- 页面大小可以在工厂预先配置为256字节

•页编程操作

- 智能编程操作

- 4096网页（256/264-Bytes/Page）主内存

•灵活的擦除选项

- 页擦除（256字节）

- 块擦除（2千字节）

- 扇区擦除（64千字节）

- 芯片擦除了8Mbits

•两个SRAM数据缓冲区（256-/264-Bytes）

- 允许接收的数据，同时重新编程闪存阵列

•通过整个阵列的连续读能力

- 代码映射应用程序的理想选择

•低功耗

- 7毫安有效的读电流典型值

- 25μA典型待机电流

- 典型15μA的深度掉电

•硬件和软件数据保护功能

- 个别部门

•安全的代码和数据存储扇区锁定

- 个别部门

•安全性：128字节的安全注册

- 64字节用户可编程空间

- 唯一的64字节的设备标识符

•JEDEC标准制造商和设备ID阅读

•100,000编程/擦除周期的最低每页

•数据保存期 - 20年

•工业级温度范围

•绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）包装选项。

1。描述

Atmel的AT45DB081D是2.5V或2.7V，串行接口闪存非常适合用于各种各样的数字语音，图像，程序代码和数据存储应用。 AT45DB081D支持Atmel RAPIDS™串行接口，用于要求非常高的速度运行的应用程序。 RAPIDS串行接口SPI兼容的频率高达66MHz。 8650752 - 位存储器被组织成4096256字节或264字节的页的每个。除了主存储器，AT45DB081D还包含两个SRAM缓冲区的256-/264-bytes每个。该缓冲器允许接收的数据，同时主内存中的页面重新编程，以及作为写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真（位或字节变性）是一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作可以轻松处理。不同于传统的快闪记忆体，随机访问多个。

MLF封装的底部的金属板是浮动的。垫可以是一个“无连接”