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AT28HC256-90JU 可擦除可编程只读存储器 ATMEL品牌代理 发布时间:2012/12/19 14:13:33
产品特点如下:
•快速读取访问时间 - 70 ns的
•自动页写操作
- 内部地址和数据锁存器为64字节
- 内部控制定时器
•快速的写周期
- 写周期时间:3毫秒或10毫秒最大
- 1到64字节页写操作
•低功耗
- 80 mA有源电流
- 3 mA待机电流
•硬件和软件数据保护
•结束写入检测数据查询
•高可靠性CMOS技术
- 耐力:104或105循环
- 数据保存:10年
•单5V±10%电源
•CMOS和TTL兼容输入和输出
•JEDEC批准字节宽的引脚
•全面的军事和工业温度范围
•绿色(无铅/无卤化物)的包装
描述:
图的AT28HC256是一个高性能的电可擦可编程只读存储器。 256K的内存被组织为32,768词的8 bits。制造与Atmel的先进的非易失性CMOS技术,AT28HC256的报价至70 ns的存取时间,功耗仅为440毫瓦。当的AT28HC256时取消选择,待机电流小于5 mA。像一个静态RAM的读或写周期,没有的访问AT28HC256
需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器,允许写入多达64字节的同时。在写周期期间,地址和1~64个字节的数据被内部锁存,释放用于其他操作的地址和数据总线。写周期的开始,该装置会自动写锁存数据使用的内部控制定时器。可以检测到一个写周期的结束数据轮询的I/O7。一旦一个写周期的结束已经检测到一个新的一个读或写操作的访问可以开始了。
Atmel的的28HC256有额外的功能,以确保高品质和制造。
该器件采用内部纠错延长耐力和改善数据保持特性。一个可选的数据保护机制,以防止意外的写入。该装置还包括一个额外的64字节的EEPROM,用于设备的识别或跟踪。
类似的AT28HC256静态RAM。当CE和OE低,WE高,上的输出数据存储在确定的存储器位置的地址引脚被断言。输出处于高阻抗状态时,无论CE或OE是高。这种双行控制提供了设计的灵活性,防止他们的系统总线争用。4.2字节写CE或WE低(分别)和OE高WE或CE输入一个低脉冲启动一个写周期。地址锁存的下降沿CE或WE,最后以较早发生者为准。CE或WE的第一个上升沿数据被锁存。一旦一个字节写操作已经开始了它
自动时间本身来完成。一旦编程操作已开始和TWC的持续时间的,读操作将有效地轮询操作。4.3页写
页写操作的AT28HC256允许1到64个字节的数据被写入到器件在一个单一的内部编程周期。页写操作启动
应遵循相同的方式写一个字节的第一个字节写入1至63字节。必须写在每一个连续的字节是150μs(TBLC
前一个字节)。如果TBLC超出限制的AT28C256将停止接受数据,并开始内部编程操作。所有字节页写操作过程中必须驻留在同一页上所定义的国家的A6 - A14输入。也就是说,每高向低过渡页写操作过程中,A6 - A14必须是相同的。
A0到A5输入用于指定页内的字节将被写入。 “
字节可以被加载以任何顺序,可以在相同的负载期间改变。只有字节被指定为书面形式将被写入不必要的循环内的其它字节页面不会发生。
数据查询
AT28HC256功能进行数据查询来表示一个写周期结束。在一个字节或试图读取写入的最后一个字节页写周期将导致的补写入的数据被呈现在I/O7。一旦写周期已经完成,真正的数据是有效的所有输出,和下一个写周期可能开始。数据轮询可以随时开始在写周期期间。
除了数据轮询的AT28HC256提供了另一种方法确定结束
一个写周期。在写操作期间,连续尝试从设备中读取的数据
将导致在I/O6 1和0之间的切换。在写操作完成后,I/O6将停止
翻转,有效的数据将被读取。测试的触发位可以在任何时候开始在
写周期。
数据保护
如果不采取预防措施,但由于我们的疏漏,某些到任何5伏唯一的非易失性存储器的写
的主机系统的电源供应器的过渡的过程中发生。爱特梅尔包括硬件和软件的功能,将保护内存,防止意外写入。
硬件保护
硬件功能防止意外的写入AT28HC256通过以下方式:
(一)VCC
感 - 如果VCC
低于3.8V(典型值)的写入功能受到抑制;(二)VCC
上电
的延迟 - 一旦VCC
已经达到了3.8V,设备将自动5毫秒(典型值)的超时时间)前允许写(c)写抑制 - 持有任何OE低,CE高或高抑制写周期;及(d)小于15 ns(典型值)的脉冲噪音过滤器 - WE或CE输入不会启动一个写周期。
软件数据保护
软件控制的数据保护功能已实施的AT28HC256。当启用时,软件数据保护(SDP),将防止意外写入。在SDP功能可能被启用或禁用用户AT28HC256从爱特梅尔运SDP禁用。
SDP是由主机系统发出的一系列的三个写命令启动;三个具体字节的数据被写入到三个特定的地址(参见“软件数据保护”算法)。写完后3个字节的命令序列和后三元催化器的整个AT28HC256是防止意外写操作。应该指出,一旦保护主机仍可能执行一个字节或页写的AT28HC256。这是通过前的数据,以写入相同的3个字节的命令序列。
一旦设置完成,,SDP将继续积极,除非禁用发出命令序列。功率过渡不要禁用SDP和SDP将保护的AT28HC256,在上电和掉电条件。所有的命令序列必须符合页写时序规格的。还应当注意的是,启用和禁用命令序列中的数据还没有写入到设备中,并可能会被写入序列中使用的存储器地址在一个字节或页写入操作的数据。三字节指令后设置SDP,任何企图写入到该设备无序列将启动内部写定时器。没有数据将被写入到该设备,但是,对于TWC的持续时间的读操作将有效地轮询操作。
设备标识
一个额外的64字节的EEPROM存储器是可识别的移动设备的用户。通过提高A9到12V±0.5V,使用地址位置7FC0H 7FFFH的附加字节可能会被写入或从作为常规存储器阵列中相同的方式读出。
可选芯片擦除模式
可以对整个器件使用一个6字节的软件代码被擦除。请参阅“软件芯片删除“应用笔记的详细信息。
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