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H55S2532NFR
发布时间：2013/3/8 15:12:39
特点
- 标准SDRAM协议
- 时钟同步操作
-基本输入时钟（CLK的正边沿上注册的所有命令）
- 多组操作
-内部4 BANK操作
-在突发的读或写操作，突发读或写一个不同的银行进行。
-在突发的读或写操作，不同的银行被激活
时爆裂银行进行读或写-自动预充电突发读取或写入，突发读取或写入不同的银行进行
- 电源电压：VDD = 1.8V，VDDQ = 1.8V
- LVCMOS兼容的I / O接口
- 低电压接口，以减少I / O电源
- 可编程的突发长度：1，2，4，8或整页
- 可编程突发类型：连续或交错
- 可编程CAS延时为3或2
- 可编程驱动强度
- 低功耗特性
-可编程PASR（部分阵列自刷新）
-自动TCSR（温度补偿自刷新）
-可编程DS（驱动力）
-深度掉电模式
- 工作温度
-移动温度：-30℃～85℃
- 90ball FBGA，0.8mm间距（铅及无卤素）封装类型：
- 地址表
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