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H5TQ4G63MFR
发布时间:2013/3/8 15:12:06

 H5TQ4G63MFR

H5TQ4G63MFR-XXC是一4,294,967,296位CMOS双数据传输速率III(DDR3)同步DRAM,非常适合主存储器和图形应用程序需要大量的存储密度和高带宽。SK海力士4GB DDR3的SDRAM提供充分参考在时钟的上升沿和下降沿同步操作。

虽然所有的地址和控制输入的上升沿锁存CK(下降沿的CK),数据,数据选通信号和写数据屏蔽输入的上升沿和下降沿采样。

数据路径内部流水线和8位预取,以达到非常高的带宽。

特点

  • VDD = VDDQ = 1.5V + / - 0.075V
  • 全差分时钟输入(CK / CK)操作
  • 差分数据选通(DQS / DQS)
  • 在芯片DLL对齐DQ,DQS和/ DQS与CKtransition过渡
  • DM口罩写数据在两的上升及fallingedges的数据选通信号
  • 所有的地址和控制输入,除了上therising的时钟边沿锁存数据,数据选通信号和数据口罩
  • 可编程CAS延时5,6,7,8,9,10,11和12supported
  • 可编程添加剂延时0,CL-1,和CL-2supported的
  • 可编程CAS写延时(CWL)= 5,6,7,8,9
  • 可编程的突发长度4/8的nibblesequential和交织模式
  • BL开关飞
  • 8banks
  • 刷新周期平均(T案件0℃~95℃)
    - 7.8μs在0℃~85℃ 
    - 3.9μs在85℃~95℃
  • 自动自刷新支持
  • JEDEC标准96ball FBGA(X16)
  • 驱动强度选择EMRS
  • 动态片上终端支持
  • 异步复位引脚支持
  • 支持ZQ校准
  • 写Levelization支持
  • 8位预取
  • 该产品符合RoHS指令。


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