AT45DB081D-SU 闪存8MB芯片 ATMEL品牌 - 新闻资讯 - 深圳市安盛创科技有限公司

•单2.5V或2.7V至3.6V电源

•急流城串行接口：66MHz的最大时钟频率

- SPI兼容模式0和3

•用户可配置的页面大小

- 256字节每页

- 264字节每页

- 页面大小可以在工厂预先配置为256字节

•页编程操作

- 智能编程操作

- 4096网页（256/264-Bytes/Page）主内存

•灵活的擦除选项

- 页擦除（256字节）

- 块擦除（2千字节）

- 扇区擦除（64千字节）

- 芯片擦除了8Mbits

•两个SRAM数据缓冲区（256-/264-Bytes）

- 允许接收的数据，同时重新编程闪存阵列

•通过整个阵列的连续读能力

- 代码映射应用程序的理想选择

•低功耗

- 7毫安有效的读电流典型值

- 25μA典型待机电流

- 典型15μA的深度掉电

•硬件和软件数据保护功能

- 个别部门

•安全的代码和数据存储扇区锁定

- 个别部门

•安全性：128字节的安全注册

Atmel的AT45DB081D是2.5V或2.7V，串行接口闪存

非常适合用于各种各样的数字语音，图像，程序代码和数据存储应用。 AT45DB081D支持Atmel RAPIDS™

串行接口，用于要求非常高的速度运行的应用程序。 RAPIDS串行接口SPI兼容的频率高达66MHz。 8650752 - 位存储器被组织成4096256字节或264字节的页的每个。除了主存储器，AT45DB081D还包含两个SRAM缓冲区的256-/264-bytes每个。该缓冲器允许接收的数据，同时主内存中的页面重新编程，以及作为写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真（位或字节变性）是一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作可以轻松处理。

不同于传统的快闪记忆体，随机访问多个。

地址线和一个并行接口，爱特梅尔的DataFlash使用Atmel公司的急流™串行接口顺序地访问其数据。简单的顺序访问，大大降低了积极的引脚数，方便了硬件的布局，提高了系统的可靠性，最大限度地降低开关噪声和减小封装尺寸。该器件经过优化，使用在许多商业和高密度，低引脚数，低电压和低功耗的工业应用至关重要的。为了让简单的系统内可编程，Atmel的，AT45DB081D不要求高进行编程的输入电压。该器件工作于2.5V至3.6V单电源供电，或2.7V至3.6V的编程和读取操作。 AT45DB081D则可以通过片选引脚（CS）和访问通过一个三线的接口，包括串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）。所有的编程和擦除周期是自定时的。

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