Teledyne公司DALSA半导体的150毫米CCD过程中提供表面或埋通道运行速度高 ​​达至15V的两个或三个层的多晶硅和一个，两个或三个的金属层。模块化的处理方法，使我们的代工客户，调整工艺参数，以满足最苛刻的要求CTE（99.999％），储存电荷的能力，并暗电流（<1nA/cm2）。基础工艺使用1X投影光刻与2.5μm的设计规则，最多允许管芯尺寸为100mm×100mm的。如有需要，更严格的的对准公差和更小的特征尺寸可以使用5倍光刻，混合使用和匹配或全部步进的方法。最大晶片尺寸达到与步进x 22毫米22毫米，但更大的传感器，可以采用拼接。

我们的CCD技术可广泛调谐; p或n-型，散装或epi起始原料，可以在宽范围内的电阻率，包括浮区硅到10kΩ厘米指定。可以添加客户指定埋通道和障碍植入适合自己的应用，通道停止，防晕染植入物或其他特殊功能。成功的项目，包括抗辐射的PMOS的CCD，和世界上分辨率最高的单片器件超过250MP。

晶圆级CCD典型的应用是工业和科学，包括航空和卫星成像。Teledyne DALSA的机器视觉业界领先的数码相机的图像传感器，用于这一过程提供许多自定义的变形。美国航空航天局的喷气推进实验室的选择Teledyne公司DALSA的图像传感器的好奇心火星车制造，只是因为它没有在更早的勇气号和机遇流浪者。

为了支持我们所有客户的定制CCD过程中，我们提供了一个范围广泛的服务，光掩膜制造完成设备的特性。

Teledyne公司DALSA半导体经营的CCD晶圆代工服务作为一个单独的手臂从Teledyne公司的DALSA组的其他业务单位。客户信息和数据的保密性是有保证的。

设计规则

*湿的金属蚀刻的选择。

联系DALSA半导体Teledyne公司收到我们的最新的详细设计规则文件。

CCD的流程