AT25DF641-MWH-Y 闪存 64m ATMEL品牌 - 新闻资讯 - 深圳市安盛创科技有限公司

AT25DF641-MWH-Y 闪存 64m ATMEL品牌
发布时间：2012/12/18 11:41:45

AT25DF641-MWH-Y 特点如下：

•单2.7V - 3.6V电源

•串行外设接口（SPI）兼容

支持SPI模式0和3

支持Atmel急流操作

支持双输入计划和双输出

•非常高的工作频率

100MHz的急流城

75MHz的SPI

时钟输出（TV

）为5ns最大

•灵活，优化擦除代码架构+数据存储应用

统一的4 KB的块擦除

统一32K字节的块擦除

统一的64-K字节的块擦除

- 整片擦除

个别部门与全球保护/撤消保护功能

128个扇区的64字节每

锁定保护的部门通过硬件控制引脚

•扇区锁定

永久只读进行任意组合的64-Kbyte的部门

•128字节可编程OTP安全注册

•灵活的编程

- 字节/页编程（1 - 256字节）

•快速编程和擦除时间

1.0ms的典型页编程（256字节）

50ms的典型的4-KB的块擦除时间

为250ms典型的32-K字节的块擦除时间

400ms的典型的64-K字节的块擦除时间

•编程和擦除暂停/恢复

•自动检查和报告的擦除/编程故障

•软件控制的复位

•JEDEC标准制造商和设备ID阅读方法

•低功耗

5毫安有效的读电流（典型值在20MHz）

深5μA的关断电流（典型值）

•耐力：100,000编程/擦除周期

•数据保存时间：20年

•符合工业温度范围内

•工业标准的绿色（以Pb/无卤化物/ RoHS标准）包装选项

- 16引脚SOIC（300 mil宽）

联系薄型DFN（6×8毫米）。

产品描述：

Atmel的AT25DF641是一个串行接口的Flash存储装置，设计用于在各种各样的高容量消费者基于应用程序，其中，程序代码被从Flash存储器阴影到嵌入式或用于执行外部RAM。的灵活的擦除架构AT25DF641，其擦除粒度小为4千字节，使得它非常适合用于数据存储的，无需额外的数据存储EEPROM设备。

物理部门划分的AT25DF641擦除块的大小，都得到了优化，以满足今天的代码和数据存储应用。通过优化的物理扇区和擦除块的大小，可以更有效地使用内存空间。由于某些代码模块和数据存储段必须驻留在自己的保护部门，浪费和未使用的存储空间，发生大的块擦除扇区和大快闪记忆体，可以大大减少。这增加的内存

空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段，同时仍保持相同的整体设备的密度。

AT25DF641还提供了一个复杂的方法对错误保护个别行业或恶意的编程和擦除操作。通过提供能力单独保护和不保护部门，系统可以解除对某个特定的部门，其余部门的内存修改其内容，同时保持阵列的安全保护。修补或更新的程序代码的子程序上，在应用程序中，这是非常有用的或模块的基础上或在不运行的风险的情况下，需要进行修改数据存储段的应用的程序代码段的错误的修改。除了个别行业的保护能力，

AT25DF641采用全球Protect和全球的撤消功能，让整个存储器阵列无论是受保护的或未受保护的一次。在制造过程中，因为这降低了开销扇区不必是不受保护的一个接一个的初始编程之前。代码和数据保护到一个新的水平，AT25DF641采用了部门锁定机制任意组合，允许独立的64 KB的扇区被锁定下来，成为永久只读。

这解决了需要某些安全应用程序需要的快闪记忆体阵列的部分反对的恶意企图在改变程序代码，数据模块，安全信息，或永久保护加密/解密算法，密钥和例程。该设备还包含一个专门的OTP（一次性可编程）可用于用途，如独特的设备序列号，系统级的安全注册电子序列号（ESN）存储，锁定密钥存储等。

在3伏系统中使用，特别设计的AT25DF641支持读，程序，和擦除操作的电源电压范围为2.7V至3.6V。没有独立的编程和擦除电压是必需的。

AT25DF641-MWH-Y 安盛半导体代理供应