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AP9965GYT-HF产品发布
发布时间：2013/2/23 11:21:55

 

N-沟道增强型功率MOSFET
 
 
VDS 40V
VGS ±16V
的导通电阻Rds（on）/最大欧（mΩ）VGS @ 10V 21
的Rds（on）/最大（MΩ）Vgs@4.5V的 28
的Rds（on）/最大（MΩ）Vgs@2.5V的  
的Rds（on）/最大（MΩ）Vgs@1.8V的  
QG（NC） 7.5
QGS（NC） 2
的Qgd（NC） 3.5
ID（A） 10
PD（W） 3.57
组态 单N
包 PMPAK 3X3

先进的功率MOSFET提供从APEC设计师与快速切换，坚固耐用的设备的设计，低导通电阻
和成本效益的最佳组合。该PMPAK®3 x 3封装是专门为DC-DC转换器的应用程序
和较低的背面散热片留有1.0mm配置文件。


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