逆导与单片体二极管的IGBT 产品特点: •功能强大的单片体二极管具有非常低的正向电压 •体二极管钳位负电压 •沟道和场终止技术1200 V应用提供: - 参数分布非常紧凑 - 高耐用性,温度稳定的行为 •“不扩散核武器条约”技术提供了易于并行交换能力 V中的正温度系数 CE(SAT) •低EMI •符合JEDEC 为目标的应用 •无铅引脚电镀,符合RoHS标准
应用范围: •感应加热烹调 •软开关应用
英飞凌原装正品/0755-83646521