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 EP1AGX50DF1152I6N EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
IXDP631PI原装现货热销/IXYS品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2017/1/5 10:58:15 这5 V HCMOS集成电路 主要用于应用
三相正弦换向
无刷电机，感应电机，交流电机
伺服电机或UPS的PWM调制器
控制系统。它将要求
死区时间来转换一个单一相的腿
到两个单独的命令
驱动上部所需的逻辑信号
和较低的半导体开关
PWM逆变器。它还提供设施
用于输出禁用和快速过流
和故障状态停机。在IXDP630，死区时间规划
由内部RC振荡器实现。
在该IXDP631，编程
通过使用晶体振荡器实现。
两个IXDP630另类/
631是用一个外部时钟信号。
由于它的灵活性，该IXDP630 /
631很容易被利用在各种各样的
有刷直流，梯形换向
无刷直流，混合和变量
磁阻步进和其他更具异国情调
脉宽调制电机驱动功率与控制
电路设计。特征
l 5 V HCMOS逻辑实现
高速保持低功率
l Schmitt触发输入和CMOS
逻辑电平提高噪声免疫力
l同时注入相等的时间
在高达三个输出阶段
我代替标准的SSI / MSI 10-12
逻辑器件
l允许广泛的脉宽调制
调制策略
直接驱动高速
光电耦合器
应用
l 1和3相运动控制
l 1和3相的不间断电源系统
通用电源转换电路
l脉冲定时和波形
代
通用Delay和过滤器
l通用三通道
“一枪”
异步强制输出
和XL输出为OFF状态。
outena将迫使所有三个频道
关闭状态。ENAX（其中x是一个
三个渠道）只会迫使
徐，XL输出通道
关闭状态。注意，因为ENAX
是异步的
内部时钟和死区时间计数器，
当ENAX去嗨什么状态
死区计数器立即
传播到输出。这一数字
还显示，在新输入的噪声
将过滤前的徐输出或
XL的输出会变得活跃，这
可以延长时间。
IXDP630 / 631死区时间发生器
的目的是简化
一个单一的或三相的实现
数字控制电源
转换电路。它取代了一个
三个数字事件计数器（定时器/
在微控制器或数字信号处理器中的计数器
电机控制的实现
或其他电力系统。在大多数情况下
这些计时器是高级的。他们
必须用来计算脉冲宽度
一到三个独立的调制器，
设置中断服务时间，生成
一个实时时钟，处理通信
定时功能等
在R，S和T的输入命令
输入首先与
内部振荡器。当输入
改变状态，输出是
关闭和死区时间后
正好8个时钟周期，免费
输出打开。例如,
如果输入R是喜，输出茹是喜。在
第一个时钟的上升沿后
输入R带来低，如输出
变低。精确后的8个时钟
时期的RL输出变高。这
注射延迟时间。
这种同步的方法是利用
为了保证死区时间
总是完全一样（准确）
的时钟频率）。这可以
在某些应用中非常重要。
创建一个不平衡的时间偏移
在PWM输出级传递函数，
并可引起饱和
感应电机控制或驱动
变压器在几次内未校正
周期。
图1：图腾柱的构造
晶体管的开关时间；原因
要求
在电源电路的死区时间
为什么需要时间？
图1是典型的开关电源
转换设备输出级。它
有两个（或通常更多）开关。一
简单逻辑错误-转动晶体管
在错误的瞬间-可以导致
在右边的灾难性故障（或
错误）环境。
在正常操作时，当状态
输出图腾柱必须改变，
导电晶体管被关闭。
然后，延迟后（通常称为
死区时间），其他的晶体管成为
在。延迟增加，以确保
这两个晶体管是不可能的
在同一时间进行（这将
导致直流环节短路
“穿越”-可能会失败
在几微秒的两个晶体管）。
当控制逻辑命令A
切换到关闭状态的切换，
几个寄生效应可能会延迟/修改
命令。的传播延迟
控制逻辑和栅极驱动缓冲器，
TD（关闭）的功率晶体管，存储
时间（针对两极）或时间（为尾
IGBTs），电压上升，电流下降
时代等，可能是显着。
过度引起的问题
死区时间
如果一点点好，很多应该更好—
除了与死区时间。不幸的是，
在切换输出死区
导致电力中的非线性
可能是的电路传递函数
控制回路难以移除。
图2说明了这个问题。这个
切换周期T：
T = T1、T2
+ DT
T
一
是时候Q1吩咐，T2
时间Q2吩咐，和DT
是时间。假设连续
条件，并与当前的
方向1：
T
你好= T1
+ DT
T
罗= T2
当前在IL2的方向：
T
你好= T1
+ DT
T
罗= T2
+ DT。
“表占占空比”的变化是
然后两死区（2dt）。如果
死区时间是5%的周期，这
占空比，负载电流过
零，瞬间变化10%。这是
一个显着的非线性原因
负载电流过零畸变
和电压必须被删除
围绕脉宽调制的反馈回路
阶段。如果这些非线性得到大
够了，循环可能没有增益
或速度，以消除他们。这可能
导致行为中的问题
最终产品是不可接受的。
电流过零失真
一个microstepped步进电机，例如，
导致非常严重的位置错误，
速度纹波和可闻噪声
操作-所有不可取的。
设计者必须确定，根据
最坏的情况下，绝对的
逻辑关断之间的最大延迟
命令和实际停止
晶体管导通。这包括所有的
适当的逻辑阶段，晶体管
存储和延迟时间等是非常
重要包括特殊效果
对所选择的开关技术。
双极晶体管的存储时间
恒定的基极驱动可以10:1作为
集电极电流变化（存储时间
在低集电极急剧增加
电流，如在轻负载。这些
效果必须考虑
确定“最坏情况”延迟时间
要求.电源电路必须不
只有在满负荷工作，但必须
不轻或无负载条件下不。
至少这一次的延迟（加上一个
保护频带）必须被注入的
命令到系列晶体管，以便
绝对禁止其开启期间
这个时间间隔。
在IXDP630 / 631死区时间是
8时钟周期：DT = 8 / FCLK。一旦
最坏的情况下（最小）的死区时间了
已确定（从电源开关
组件制造商数据表，
驱动电路分析，电路板
测量等）时钟
频率计算：FCLK（max）=
8 / dt（分钟）。
这是最高的时钟
频率，包括初始效应
精度，公差，温度系数，
等在选择振荡器时
组件，特别注意
电阻器和电容器的结构
强制性的.
振荡器的设计
有两个版本的死区时间
发电机。他们有明显的不同
内部振荡器设计服务
不同的应用。在任何一种情况下，
然而，内部振荡器可以
禁用简单地离开它的外部
组成了。一位HCMOS兼容
时钟高达24兆赫，可以直接喂养
在信息网络传播权或xtlin销。
IXDP630 RC振荡器的设计
该IXDP630使用Schmitt trigger
变频振荡器（图3）。两外
组件，ROSC和COSC，确定
时钟频率，因此
死区。本设计允许
显著降低成本
标准晶体振荡器，但需要一个
频率精度的权衡。这个
初始精度和漂移是一个函数
的外部元件公差
和温度系数
电压、内部参数和IXDP630。
在1兆赫的频率下，
假设外部元件
是完美的，这个IXDP630会
介绍一个初始精度误差
5%，和一个温度依赖性
- 400 ppm。频率的移位
VCC范围为4.5 V至5.5 V是典型的
不到5%。
在更高的频率和电阻
低于1 K值的Ω，IXDP630
内部参数变得更加
影响因素。这样的结果
从一个更大的频率变化
设备到另一个，以及与
温度和电源电压
变化.如果高精度是一个
要求，用水晶该IXDP631
振荡器将是更好的选择。
振荡器的频率与Rosc和Cosc
如图4所示。为分析
设置振荡器的方法
设计方程为下面的操作
约1兆赫：
该IXDP631使用更常见
标准内晶体振荡器
设计。正确操作水晶
必须是并联谐振
型，在晶体的基本谐振
频率。图5说明了
建议振荡器配置。
注意所需的外部组件。
需要的电容器来实现
校准过的晶体频率（它们的
价值是由水晶决定的
制造商），和电阻是
有必要保证电路
在每一种情况下开始。而电路
通常没有这些额外的操作
零件，这是不推荐。
在该IXDP631晶体振荡器
比钢筋显着更准确
在IXDP630振荡器。总
宽容（包括初始的影响
精度，温度，电源电压，
漂移等）优于100 ppm±。这
提高精度和可重复性
所需的时间，但在
增加了晶体的费用。
哪个版本适合你的
应用？这取决于你如何
愿意权衡零部件成本
时间精度
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