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BQ2205LYPWR原装现货热销/TI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2016/12/15 10:23:08 CMOS非易失性bq2205 SRAM控制器 复位提供了所有必要的功能
将一个或两个银行标准CMOS
在非易失性存储器SRAM的读/写。
一个精密比较器监视3.3V VCC
输入的公差条件。什么时候
出公差被检测到，两个空调
芯片使能输出被迫无效
写保护两岸的SRAM。
权力的外部SRAM，VOUT，切换
从供电的电池备份电源
当VCC衰变。在随后的上电时，
输出电源自动切换的
对供电电源备份。外部
静态存储器的写保护，直到电源有效
条件存在。复位输出提供
电源故障和电源重置系统。
在电源有效的操作期间，输入解码器，一个，
选择一个银行的SRAM。
电源监控和切换
静态随机存储器的非易失性控制
输入解码器可以控制1或2家银行
SRAM
写保护控制
3-V原代细胞的输入
3.3 V操作
复位输出的系统上电复位
小于20纳秒的芯片使能传播
延迟
小16领先TSSOP Package
应用
NVSRAM模块
销售点系统
传真机，打印机和复印机
网络家电
服务器
医疗仪器与工业
产品
两家银行的CMOS静态RAM可以备用电池使用条件的芯片使能输出VOUT
从bq2205引脚。当输入电压VCC slews下来断电期间，两调节芯片
使输出，cecon1和cecon2，被迫闲置的独立的芯片使能输入，CE。这一活动
无条件地写保护外部SRAM作为VCC下降到了耐受阈值VPFD。作为
供应继续倒过去内部开关装置部队VPFD，VOUT的备用能源。
cecon1和cecon2由Vout能源高高举起。
上电过程中，输出是VCC高于备份电池输入电压回3.3 V电源开关
采购输出。输出cecon1和cecon2举行活动的时间tcerafter电源已达到
VPFD，独立的CE输入，允许处理器的稳定。
权力的有效运作期间，CE输入是通过一个ceconx输出与
小于TCED传播延迟。CE输入是一个ceconx输出引脚输出；根据
在银行选择输入的水平上，见下面的真值表。
银行选择输入A通常是绑到一个高高的地址引脚，使一个大的非易失性内存可以
使用低密度存储设备设计。非挥发性和解码的硬件接线图的实现
如应用程序图中所示。
RST输出可以作为一个微处理器复位电源。访问外部内存可能开始
当RST返回无效。
bq2205不断监控的VCC为出公差。一个断电期间，当VCC低于
bq2205 VPFD，外部SRAM的写保护。电源VCC时切换到BCP少
比VPFD和BCP大于VPFD，或当VCC低于BCP和BCP低于VPFD。当VCC
是上述VPFD，电源VCC。写保护持续时间后的VCC上升超过VPFD tCER。
外部CMOS静态RAM电池备份使用VOUT和芯片使能从bq2205输出引脚。
当输入电压VCC slews下来断电时，芯片使能输出，CECONx，被迫闲置
独立的芯片使能输入。
由于供应持续下滑，过去一个内部开关装置VPFD，力量输出到外部备份
能量源。ceconx由Vout能源高。上电过程中，输出是VCC高于备份电池输入电压回到主电源开关
采购输出。如果VPFD < BCP对开关电源产生的bq2205 VPFD。ceconx举行
闲置时间tCER电源后已达到VPFD，独立的CE输入，允许
处理器的稳定。
上电复位
的bq2205提供上电复位，RST引脚上拉低功率下降，保持低功率
在VCC通过TRST后VPFD。与BCP有效的电池电压，RST保持有效的VCC = VSS。这个
上拉电阻的引脚不应超过10 KΩ如果复位按钮是用来。
低电量警告
的bq2205检查电源电池电压。对于电池警告比较器的阈值是舒适，
和低电平检测后每升功率和功率有效锁存后的短期时间。锁定值
在BW引脚，低表明电池电量低了重要的是要特别注意的印刷电路板布局。以下提供了一些指导方针：
为了获得最佳性能，去耦电容从输入端子VSS应尽
尽可能的bq2205，短轨迹运行信号和VSS引脚。
所有的低电流VSS连接应该从输入高电流路径分开
供应。使用一个单一的点接地技术，结合小信号接地路径和
电源接地路径。
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