MAX4949ELA原装现货热销/MAXIM品牌代理/价格/图片/PDF - 新闻资讯

输入电压保护高达+28五

♦NFET开关集成

♦预置过压保护程度

7.40v（max4943）

6.35v（max4944_）

5.80v（max4945_）

4.56v（MAX4946）

8.90v（MAX4949）

♦低电流欠压锁定模式

♦短路保护（latchoff /重试）

♦内部15ms（典型值）的启动延迟和重试次数

♦输入电压电源良好的逻辑输出

♦热关断保护

♦小，引脚（采用2mm x 2mm）µDFN封装

max4943–MAX4946 / MAX4949过压保护

器件具有低罗恩内部FET和保护

低压系统对电压高达28V。如果

输入电压超过过电压阈值，

内部MOSFET关闭以防止损坏的

保护元件。这些设备还驱动

可选的外部PFET保护下来到28V。如果

适配器电压低于地面，PFET关闭

为了防止损坏受保护的组件

负电压曝光。内部电荷泵

15ms（典型值）反跳时间防止误开启

启动时内部开关。一个开漏，低电平

逻辑输出是可用的信号，一个成功的

上电发生。

max4943–MAX4946 / MAX4949有内部

控制导通的振荡器和电荷泵

内部开关。内部振荡器控制

使电荷泵开启的计时器

控制的漏极开路的讯息调控状态

输出。如果输入电压VIN > < VUVLO如果vovlo，内部

振荡器关闭，从而禁用电荷泵。

如果< < vovlo VUVLO VIN，内部电荷泵

启用.电荷泵启动，后为15ms（典型值）

内部延迟，打开内部开关（见图2）。

讯息调控是高举在启动之前，30ms讯息调控

（典型值）消隐期届满。在这一点上，该设备是

在它的状态。

在任何时候，如果输入电压低于或高于VUVLO

vovlo，讯息调控拉高和电荷泵

被禁用。

内部开关

的max4943–MAX4946 / MAX4949纳入

与80mΩ内部NFET（典型值）罗恩。开

内部驱动的电荷泵产生一个5V

输入电压以上电压。内部开关是

配备1.2A（min）电流限制保护

关闭开关在10µ（典型值）中的过电流

故障状态。

重试

的max4943–MAX4946有过流自动重试

功能：打开开关后再次为15ms（典型值）

重试时间（参见图3）。如果故障的负载条件仍然

在消隐时间后，开关再次关闭

和周期重复。快速关断时间和

15ms重试时间的结果在一个非常低的占空比保持

功耗低。如果故障的负载条件不

现在，开关仍然在。

门闩

的max4944b / max4945b / MAX4949没有

自动重试功能，和开关锁关闭后

过流故障。开关保持关闭，直到过流

故障已被删除。开关转回来

当适配器电压低于VUVLO和

然后返回到有效的工作范围。

当输入电压高于地面时，大奖赛拉

在pFET低转。一个内部钳位保护

通过确保GP在电压不PFET

超过19v（max）当输入（在）上升至+28五。

欠压锁定（UVLO）

的max4944l / max4945l / MAX4946 / MAX4949有

2.45v（典型值）欠压锁定阈值（VUVLO），

而其余的设备有一个4.15v VUVLO（典型值）

门槛.当输入电压低于VUVLO，讯息调控高

阻抗。

过电压锁定阈值（OVLO）

的max4943有7.4v过压阈值（典型值）

（vovlo），该max4944_有6.35v（典型值）vovlo

阈值的max4945_有5.80v（典型值）vovlo

门槛，MAX4946有4.56v（典型值）vovlo

阈值和MAX4949有8.90v（典型值）vovlo

门槛.当输入电压大于OVLO，讯息调控是

高阻抗。

讯息调控

讯息调控是一个积极的低，开漏输出，断言

低时，<< << vovlo VUVLO VIN为30ms年（典型值）期。

连接一个上拉电阻从讯息调控的逻辑

主机系统的I / O电压。在短路

故障，讯息调控可能deassert由于Vin不在

有效工作电压范围。

热关断保护

的max4943–MAX4946 / MAX4949具有热关断

电路。当连接处关闭时，内部开关关闭

温度超过175°C（典型值）和立即

进入故障模式。该设备退出热关断

在结温冷却40°C（典型值）。

应用程序的信息

在旁路电容器

对于大多数应用程序，旁路到GND与1µF

陶瓷电容器尽可能接近的设备

使±15kv（HBM）在引脚的ESD保护。如果

±15kv不是必需的，也需要在没有电容器

在。如果电源有显着的电感由于

长引线长度，注意防止过冲

由于液晶槽电路，并提供保护，如果必要的话

为了防止超过+30 V绝对最大

评级在。设备不允许电流流入流出。这个

PFET关闭时的电压之间的GP和

小于PFET栅极阈值电压。

ESD测试条件

静电放电的性能取决于一些条件。

的max4943–MAX4946 / MAX4949被指定为

±15kv（HBM）典型静电放电电阻时是

绕过一个1µF陶瓷电容器接地。

人体模型

图4显示了人体模型和图5

显示当放电时产生的电流波形

成低阻抗。该模型由一个

100pF的电容充电到感兴趣的ESD电压，

然后通过一个设备进入该设备

1.5kΩ电阻

IEC 61000-4-2

IEC 61000-4-2标准涵盖ESD测试

成品设备性能。它不具体

参考集成电路。的max4943–

MAX4946 / MAX4949是±15kV空气间隙的规定

放电和±8kV接触放电IEC 61000-4-2

在销的时候是绕过一个1µF地

陶瓷电容器。

使用的测试之间的主要区别

人体模型和IEC 61000-4-2是一个高峰值

在IEC 61000-4-2的电流，由于较低的串联电阻。

因此，测量电压的ESD承受IEC

61000-4-2一般低于测量使用

人体模型。图6显示了IEC 61000-4-2

模型。接触放电方法连接

探头之前的设备的探头。这个

空气间隙放电试验涉及接近装置

带电荷的探针。