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MAX4845DEYT+T原装现货热销MAXIM品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2016/11/21 9:23:37 max4843–max4846过压保护控制器 保护低电压系统对高电压
电压28V的故障。当输入电压超过
过电压阈值，这些设备关闭一个低成本，
外部N沟道FET（S）以防止损坏的保护
组件.一个内部电荷泵消除
外部电容器的需要，驱动场效应管的栅极
对于一个简单的，强大的解决方案。
过电压跳闸电平设置为7.4v（max4843），
6.35v（max4844），5.8v（max4845），或4.65v
（max4846）。当输入电压低于
欠压锁定（UVLO）阈值，设备
进入低待机电流模式（10µ一）。这个
max4843 / max4844 / max4845有UVLO阈值
对的max4845c 4.15V，/ max4845d有UVLO
阈值2.2V，和max4846有UVLO
阈值2.5V。除了单FET配置，
该设备可以配置背靠背
外部FET防止电流从
返回驱动到适配器。
额外的功能包括一个±15kV的ESD保护
输入时，绕过一个1μF的电容到地µ。
所有的设备都是在小型的6µDFN提供（1.5mm x
1.0mm）和6超薄LGA（max4845和
max4846只）（1.5mm×1.0mm）封装，
指定操作过的- 40°C至85°C温度
范围。
过压保护电压28V
♦预置7.4V，6.35v，5.8v，或4.65v过压跳闸
水平
♦低（10µ一）欠压锁定待机
电流
♦驱动低成本器件
♦内部50ms启动延迟
♦内部电荷泵
♦过压故障报警指示器
♦6（1.5mm×1.0mm）µDFN封装
max4843–max4846提供高达28V电压
低压系统保护。当输入电压
超过过电压跳闸水平
max4843–max4846关掉一个低成本的外部N沟道
场效应晶体管（S）为了防止损坏的保护元件。
一个内部电荷泵（见功能
图）的场效应管的栅极驱动器的一个简单的，可靠的解决方案。
上电时，器件等50ms开车前
门高。开漏标志输出保持在
门后是一个额外的50ms高阻抗
在解除报警。标志输出断言高
立即对过电压故障。
欠压锁定（UVLO）
的max4843 / max4844 / max4845有固定的4.15v
典型的UVLO水平的max4845c / max4845d有
2.2v典型UVLO，和max4846具有2.5V典型
UVLO。当输入电压低于UVLO，门
司机举行低和标志是断言。
过压锁定（OVLO）
的max4843具有典型的max4844 7.4v OVLO；
有一个6.35v典型OVLO；和max4845有
5.8v典型OVLO。有一个典型的max4846 4.65v
过电压阈值。当输入电压大于OVLO，
栅极驱动器保持低，标志是断言。
标志输出
开漏标志输出用于向
主机系统，有一个输入电压的故障。
标志立即断言一个过电压故障。
国旗举行高50ms门打开后
解除报警。连接一个上拉电阻从国旗
主机系统的逻辑I / O电压。
栅极驱动器
一个片上电荷泵是用来驱动栅极以上
在允许使用低成本的N沟道MOSFET。这个
电荷泵工作在内部5.5v调节器。
实际栅极输出电压轨道约
两次直到VIN VIN超过5.5V或旅行的OVLO
超过水平，以先到者为准。这个
max4843有7.4v典型OVLO，因此门
保持相对稳定，约为5.5v < 10.5v
在< 3.6V的max4845有5.8v典型OVLO，但
这可以作为5.5v低栅极的输出电压。
输入电压的一个功能是在典型的
操作特性。
设备的操作
的max4843–max4846有车载状态
控制设备操作的机器。一个流程图
如图4所示。在初始上电，如果VIN UVLO或<
如果Vin > OVLO，门保持在0V，旗高。
如果VIN UVLO < < OVLO装置启动后，进入
一个50ms内延迟。内部电荷泵
启用，门开始被驱动通过上述VIN
内部电荷泵。国旗在期间被高举
启动，直到标志消隐期限届满，通常
门开始走高后50ms。在这一点上
设备处于状态状态。
在任何时候，如果输入电压低于UVLO或VIN大于
比OVLO，国旗是驱动高栅极驱动
地面。max4843–max4846可以与一个单一的
MOSFET配置为典型表现
操作电路，或者可以配置一个背靠背
如图5所示MOSFET。背靠背
配置几乎为零的反向电流时
输入电源低于输出。
如果反向电流泄漏不是一个问题，一个单一的
MOSFET可用于。这种方法有一半的损失
类似的使用时，后端到后端的配置
MOSFET的类型是一个低成本的解决方案。注意，如果
输入的实际上是拉低，输出也被拉
由于在MOSFET的寄生体二极管。如果
这是一个值得关注的问题，后端到后端的配置应该
使用。
在max4846典型应用，一个外部
适配器内置电池充电器连接到
和电池连接到外部的源
场效应管。当适配器被拔掉，在直接连接
该电池通过外部FET。自
电池电压大于3V的典型，
门电压保持高，设备仍然供电
由电池。
MOSFET的选择
的max4843–max4846设计使用
无论是单N沟道MOSFET或背对背双
N沟道MOSFET。在大多数情况下，MOSFET
罗恩指定VGS 4.5V工作。如果输入
供应附近为UVLO最大，考虑
使用一个MOSFET的VGS电压低于规定。
还应30v为MOSFET的VDS承受
在max4843–max4846范围全28v。
表1显示选择MOSFET适合
用max4843–max4846。
在旁路的考虑
对于大多数应用程序，旁路到GND与1µF
陶瓷电容器。如果电源有显着性
电感由于长引线长度，小心防止
过冲由于LC谐振电路和提供
保护如果需要防止超过30V
绝对最大额定值。
的max4843–max4846提供防护
高达28V电压故障，但这不包括负
电压。如果负电压是一个关注，连接
一个肖特基二极管从接地夹
负输入电压。
ESD测试条件
静电放电的性能取决于一些条件。
的max4843–max4846免受±15kv典型
静电放电的时候，在旁路与一个
1µF的陶瓷电容器。
图6显示了人体模型和图7
显示当放电时产生的电流波形
成低阻抗。该模型包括
一个100pF的电容充电到ESD电压
兴趣，然后被释放到设备
通过一个1.5kΩ电阻Ω
IEC 1000-4-2
自1996一月起，所有设备制造
和/或出售在欧洲联盟已被要求
满足严格的IEC 1000-4-2规范。IEC
标准涵盖1000-4-2 ESD测试和性能
完成的设备，它不特别
参考集成电路。的max4843–max4846
帮助用户设计的设备，符合IEC 3级
1000-4-2，没有额外的ESD保护元件。
使用的测试之间的主要区别
人体模型和IEC 1000-4-2高峰值
在IEC 1000-4-2电流。因为串联电阻是
在IEC 1000-4-2 ESD测试模式下（图8），
该标准的静电放电耐受电压是
一般低于用人测量
人体模型。图9显示了当前的波形
4级的±8千伏东区走廊1000-4-2 ESD接触放电
测试。气隙试验涉及接近装置
用充电器探头。接触放电法
在探头前连接探头到设备上
通电。
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