NCD2100TTR原装现货热销/IXYS品牌代理/价格/图片/PDF - 新闻资讯

特征

•容量范围宽的6.6pf到37.553pf

•小步长：0.063pf

数字选择高达1024的电容值。

•工作电源电压范围为2.5V至5.5V

•最小电流：IDD = 1一（典型）

•工业温度范围- 40C + 85C

非常小的尺寸

DFN：2 mm x 2 mm（0.079 x 0.079）

位置：2.9 mm x 2.8 mm（0.114 x 0.110）

湿度敏感性等级1

应用

•VCXO

•Crystal Oscillators

可调谐射频级

•滤波器调谐

•RFID标签

工业无线控制

电容式传感器微调

ncd2100有两种操作模式：

•转移登记模式（时钟= 1）：控制数据的价值

加载到移位寄存器中确定负载

电容。

•记忆模式（时钟= 0）：控制数据的价值

存储在EEPROM确定负荷

电容。

在移位寄存器模式中，控制数据值必须

移动后，设备的权力，可以

根据需要改变。

在内存模式下，默认模式下，控制数据

价值是由内部的内容决定的

内存编程较早。记忆模式

适用于所需输出的情况

电容是不可能改变和控制数据

必须保留在没有权力的期间。

的ncd2100两编程方式设置

值存储在非易失性存储器中的值，它们是：

所有位编程模式：程序的所有位

非易失性存储器同时（CHK = 1）。

单位编程模式：程序一个

存储位为逻辑1（CHK = 0）。在这种模式下

内存位只能设置为逻辑1和只有一个

一次。

编程方法和调谐电容

下面讨论的组件。

3.2 cdac1：电容器1段（10:9）

在第一电容数字到模拟的两位

转换器（cdac1）构成的控制位

第一电容调谐段。这是华

两个粗电容调谐段的第一。价值观

在6.4pf名义步骤C1增大、变

25%由于工艺的变化。

移位寄存器模式提供了改变

负载电容在任何时间。这种模式不同

内存模式中的值加载到

移位寄存器是不稳定的，并会丢失，每当电源

对设备被删除。

由于移位寄存器模式是功能性的

ncd2100的整个工作范围内，其

在引脚X1电容可以修改了

在所有允许的操作条件下。

修改电容是很容易完成的

将11位控制代码加载到引脚大使用

时钟（CLK），销光伏持低或开。什么时候

引脚光伏是开路，一个内部下拉电阻

一个标称18万值将满足逻辑0

要求。

的ncd2100采用先入先出转移登记等

这是必要的，以确保只有11个上升沿

当输入数据时，时钟被应用到设备上。

最低有效位（LSB）的串行数据是

第一位输入到移位寄存器。这一点是检查

并且不影响电容的值。作为

这样，位CHK是一个“不在乎”登记模式的转变

并且可以设置为逻辑0或逻辑1。

当最后一位输入到移位寄存器中时，

CLK输入必须保持在一个逻辑1为控制数据

在移位寄存器中调节电容值。

如果时钟返回到零然后被拉

备份到逻辑1，上大当CLK的价值

转换为逻辑1将被加载到MSB

在比特的移位造成11:1的登记内容

移到的位置内。一般产生于一个

不正确的控制代码。

3.5.2记忆模式

内存模式是默认的操作模式

是一个典型的最有可能的服务条件

在成品中的应用。这个操作

模式使用存储在非易失性中的值

内存配置电容器到适当的值。

以方便内存模式作为默认模式，一个

内部下拉电阻与CLK引脚

对135k标称值。提供所需的逻辑0

状态。

除了内部的上拉电阻在CLK

引脚有下拉下拉电阻在大和光伏引脚

保持惰性逻辑0个州在这些投入确保

稳定和可预测的行为，而不需要

补充外部分立元件。这个

下拉电阻在大输入的标称值

是135k和PV的标称值是180k。

使用内存模式，非易失性内存在

的ncd2100必须进行编程的

适当的数字代码，以创建所需的

在X1引脚的电容值。到ncd2100数字控制可变中央

电容器是串行接口。这个简单的双线

接口用于修改输出电容

移登记模式，程序的EEPROM

（编程模式），并验证内存

内容。这个接口只需要一个时钟（CLK）

和数据线（大）加载到移位控制数据

登记。

有了这个实现，数据被锁存于

时钟的上升沿。在一个典型的应用程序中

主机上，数据更改到总线上是同步的

时钟的下降沿。这种方式，时间从

当数据被断言到总线上，直到数据

由时钟的上升沿锁存最大化。

假设相对相等的传播延迟为两个

时钟和数据，这个配置会最大化

的设置和保持时间如图所示

波形如下。要利用默认的操作模式

非易失性存储器必须用一个

提供了所需的电容的控制代码

引脚X1。两种编程模式可供

用户。一个模式允许写入整个内容

用一个单一的控制代码的内存

编程序列，而其他模式的限制

在一个时间和一个单一的一个位写控制码

只允许更改控件的控件位值

从一个逻辑0到一个逻辑1的内存。选择的

编程模式是通过检查控制点。

编程模式选择：

•CHK = 1：所有位编程模式

•CHK = 0：单点编程模式

必须是的电气和定时条件

其次是可靠的编程是相同的两个

编程模式。

3.7.1存储器的编程环境

的ncd2100程序应在

以下条件：

助教= 25°C + 5°C

•VDD = +5V +0.5。

•CLK：fclk_max = 120khz

•CLK：DCLK = 50% + 10%。

•光伏：编程脉冲电压Vpv = + 6.5v±0.5v。

•光伏：编程脉冲宽度40ms < < 80ms冠捷

一个4的从时钟上升沿的延迟上

光伏脉冲的上升沿。

最小电流合规的光伏电压源

4mA。

3.7.2编程控制数据到内存

用于程序存储器的数据序列

如下所用的相同的结构在移位寄存器

与LSB是第一位载入模式

登记后的华助会控制位移位。

虽然编程的数据序列

内存是相同的移位寄存器模式，

数据本身不是。

当编程存储器时，控制数据是

未直接输入移位寄存器。相反，该

用一个控制位的位地址

逻辑1是选择一个逻辑0。换另一种方式，

反转移位寄存器中使用的控制位值

模式，并将其输入到移位中

在编程时寄存器的内存。这也

适用于检查点。为内存电路

认识到所有位编程模式（CHK = 1）一

逻辑0必须输入到移位寄存器中

重要位位置。这的一个例子是一旦被编程的EEPROM，

内容可以采用双线串行总线查询

并正确配置用于数据检索的光伏。

要读取在光伏引脚的内存数据输出，它必须

被拉到VDD的68k电阻。VDD和时钟

必须符合上述规定的条件

编程存储器。内存内容读取

一位在一个时间通过加载移位寄存器与一个

逻辑1在所有位置，除了位被查询

谁的位置必须包含一个逻辑0。

在这个阶段中，移位寄存器模式被用来找到

正确的电容值。它是由

扫cdac1，cdac2，和cdac3值。

移位寄存器的值是加载使用引脚大和

CLK为解释“串行数据接口

13页。如图4所示是加载的一个例子

用移位寄存器的移位寄存器的一个修剪代码

模式。的信号电平为0V至VDD。

在这个示例中（请参见图4），控制数据修剪

代码= 375 { 01011101111 }（MSB…LSB）将

输入额定输出的移位寄存器

电容18.649pf。加载到移位的数据

登记是LSB（检查点）第一。

此负载电容值是通过添加合成

从cdac1附加电容，cdac2和

cdac3的基极电容。在这种情况下，

电容值生成如图所示

下面的公式：