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MAX4840AEXT原装现货热销/MAXIM品牌代理/价格/图片/PDF
发布时间:2016/11/17 9:46:55

 max4838a max4842a是overvoltageprotection max4840a / /

集成电路的低电压系统,对保护
到28V电压+输入电压如果超过美国。
overvoltage旅级,max4838a max4840a / /
max4842a转向现成的低成本的外部N沟道
场效应晶体管(S))的,以防止损坏的保护元件。
一个内部电荷泵eliminates需要外部
场效应管的栅极电容和驱动是简单的。
鲁棒性的解决方案。
有overvoltage max4838a 7.4V的阈值,和
有overvoltage max4840a 5.8V的阈值。The
有overvoltage max4842a 4.7V阈值。The
有一个max4838a / max4840a undervoltage -锁定
3.25v(UVLO)阈值,而max4842a SAH
2.5V的UVLO)。除了在单场效应晶体管配置。
该器件具有可configured背靠背
外部FET的电流,以防止从被反向驱动
的适配器。
在线电源启动时,驱动装置是在等待
门高。一个额外的标志是在保持低时
在门前的deasserting高时。The
max4842a max4838a / max4840a /有一个开漏
标志输出。该标志asserts立即输出到
一overvoltage故障。
附加的功能包括±15kv(HBM ESD保护)
输入(当与电容器和bypassed 1µf)
该引脚(EN)对关闭的关闭装置。
所有的设备是提供在6引脚SC70封装的小和6针
µdfn×1.0mm和1.5mm的是指定的软件包
- 40°C到+85°C的扩展温度范围。
过压保护高达+28五
♦预置7.4V,5.8v,或4.7v过压跳闸水平
♦低成本驱动NMOS管
♦内部50ms启动延迟
♦内部电荷泵
♦欠压锁定
♦±15kV的ESD保护输入
♦电压故障报警指示器
♦6引脚SC70和µDFN封装
♦无铅
max4838a / max4840a / max4842a提供高达
+28五低压系统过电压保护。
当输入电压超过过电压跳闸水平,
的max4838a / max4840a / max4842a关闭低成本
外部N沟道FET(S)以防止损坏的保护
组件.一个内部电荷泵(图5)
场效应管的栅极驱动器的一个简单的,可靠的解决方案。
欠压锁定(UVLO)
有一个固定的max4838a / max4840a 3.25v典型
欠压锁定(UVLO)而max4842a水平
有一个2.5V的典型的UVLO。当输入电压小于
UVLO,栅极驱动器保持低和标志断言。
过压锁定(OVLO)
有一个典型的max4838a 7.4v过压阈值
(OVLO),和max4840a有5.8v典型的过电压
门槛.有一个典型的max4842a 4.7v过压
门槛.当输入电压大于OVLO,的
门驱动器是举行低和标志是断言。
标志输出
标志输出用于信号主机系统
有一个输入电压的故障。旗下资产
立即对过电压故障。旗帜被低
对于50ms门打开后才解除报警。
所有设备都有一个开漏标志输出。连接
一个上拉电阻从国旗的逻辑I/O电压
主机系统。
EN使能输入
是一个有效的低电平使能输入。驱动器连接低或连接
到地,使正常的设备操作。
在高驱动力从外部MOSFET(S)。EN
不重写OVLO或UVLO故障。
栅极驱动器
一个片上电荷泵是用来驱动栅极以上
在允许使用低成本的N沟道MOSFET。
该电荷泵工作在内部5.5v
调节器.
实际栅极输出电压轨道约
两次直到VIN VIN超过5.5V或旅行的OVLO
超过水平,以先到者为准。这个
max4838a有7.4v典型OVLO;因此门
保持相对恒定,约为10.5v
5.5v < VIN < 3.6V的max4840a有5.8v典型
OVLO,但是这可以作为5.5v低,max4840a
在实践中不可能真正实现全10.5v
门输出。的max4842a有4.7v(典型值)OVLO,
和门的输出电压是输入电压的两倍。
作为输入电压的函数的栅极输出电压
显示在典型的工作特性。
设备的操作
的max4838a / max4840a / max4842a有载
状态机控制设备运行。一
流程图如图6所示。在初始上电时,如果
VIN VIN UVLO或<<如果>> OVLO,门保持在0V,和
旗帜低。
如果VIN UVLO < < OVLO和EN为低,设备进入
一个50ms内延时后启动。内部电荷
启动泵,门开始被驱动
VIN的内部电荷泵。旗帜在低期间举行
启动,直到标志消隐期限届满,通常
门开始走高后50ms。在这
点的设备在其上的状态。
在任何时候,如果输入电压低于UVLO,国旗是驱动
低,门驱动到地面。
max4838a / max4840a / max4842a可
与一个单一的MOSFET配置如图所示
典型的操作电路,或可配置
背靠背的MOSFET,如图7所示。这个
后端到后端配置几乎为零的反向配置
当输入电源低于输出时。
如果反向电流泄漏不是一个问题,一个单一的
MOSFET可用于。这种方法有一半的损失
在使用类似的后端到后端的配置
MOSFET的类型,是一种低成本的解决方案。注
如果输入实际上是拉低,输出是
拉低,以及由于寄生体二极管在
MOSFET。如果这是一个关注,那么后端到后端
应使用配置。
MOSFET的选择
的max4838a / max4840a / max4842a设计
使用一个N沟道MOSFET或双背靠背
N沟道MOSFET。在大多数情况下,
MOSFET的RDS(ON)为VGS电压4.5V工作规定
好.如果输入电源附近的UVLO最大
3.5V,考虑使用一个MOSFET下指定
VGS电压。另外,VDS应30v为MOSFET
在所有的设备范围内承受全部28v。
表1显示选择MOSFET适合
用max4838a / max4840a / max4842a。
在旁路的考虑
对于大多数应用程序,旁路到GND与1µF
陶瓷电容器。如果电源有显着性
电感由于长引线长度,小心防止
过冲由于LC谐振电路和提供
保护如果需要防止超过30V
绝对最大额定值。
的max4838a / max4840a / max4842a提供保护
针对电压28V电压故障,但这并不
包括负电压。如果负电压是一个关注,
一个肖特基二极管连接在接地夹
负输入电压。
ESD测试条件
静电放电的性能取决于一些条件。
的max4838a / max4840a / max4842a指定
对于±15kv典型静电放电电阻时是
绕过一个1µF陶瓷电容器接地。
用于可靠性报告文件的联系准则
测试设置,方法和结果。
人体模型
图8显示了人体模型,如图9所示
显示当放电时产生的电流波形
成低阻抗。该模型包括
一个100pF的电容充电到感兴趣的ESD电压,
然后通过一个设备进入该设备
1.5kΩ电阻。


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