|
IC库存索引: | A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
最新IC库存 |
新闻资讯 |
当前位置:首页 > 新闻资讯 |
EP1AGX50DF1152I6N
EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
MAX4840AEXT原装现货热销/MAXIM品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2016/11/17 9:46:55 max4838a max4842a是overvoltageprotection max4840a / / 集成电路的低电压系统,对保护
到28V电压+输入电压如果超过美国。
overvoltage旅级,max4838a max4840a / /
max4842a转向现成的低成本的外部N沟道
场效应晶体管(S))的,以防止损坏的保护元件。
一个内部电荷泵eliminates需要外部
场效应管的栅极电容和驱动是简单的。
鲁棒性的解决方案。
有overvoltage max4838a 7.4V的阈值,和
有overvoltage max4840a 5.8V的阈值。The
有overvoltage max4842a 4.7V阈值。The
有一个max4838a / max4840a undervoltage -锁定
3.25v(UVLO)阈值,而max4842a SAH
2.5V的UVLO)。除了在单场效应晶体管配置。
该器件具有可configured背靠背
外部FET的电流,以防止从被反向驱动
的适配器。
在线电源启动时,驱动装置是在等待
门高。一个额外的标志是在保持低时
在门前的deasserting高时。The
max4842a max4838a / max4840a /有一个开漏
标志输出。该标志asserts立即输出到
一overvoltage故障。
附加的功能包括±15kv(HBM ESD保护)
输入(当与电容器和bypassed 1µf)
该引脚(EN)对关闭的关闭装置。
所有的设备是提供在6引脚SC70封装的小和6针
µdfn×1.0mm和1.5mm的是指定的软件包
- 40°C到+85°C的扩展温度范围。
过压保护高达+28五
♦预置7.4V,5.8v,或4.7v过压跳闸水平
♦低成本驱动NMOS管
♦内部50ms启动延迟
♦内部电荷泵
♦欠压锁定
♦±15kV的ESD保护输入
♦电压故障报警指示器
♦6引脚SC70和µDFN封装
♦无铅
max4838a / max4840a / max4842a提供高达
+28五低压系统过电压保护。
当输入电压超过过电压跳闸水平,
的max4838a / max4840a / max4842a关闭低成本
外部N沟道FET(S)以防止损坏的保护
组件.一个内部电荷泵(图5)
场效应管的栅极驱动器的一个简单的,可靠的解决方案。
欠压锁定(UVLO)
有一个固定的max4838a / max4840a 3.25v典型
欠压锁定(UVLO)而max4842a水平
有一个2.5V的典型的UVLO。当输入电压小于
UVLO,栅极驱动器保持低和标志断言。
过压锁定(OVLO)
有一个典型的max4838a 7.4v过压阈值
(OVLO),和max4840a有5.8v典型的过电压
门槛.有一个典型的max4842a 4.7v过压
门槛.当输入电压大于OVLO,的
门驱动器是举行低和标志是断言。
标志输出
标志输出用于信号主机系统
有一个输入电压的故障。旗下资产
立即对过电压故障。旗帜被低
对于50ms门打开后才解除报警。
所有设备都有一个开漏标志输出。连接
一个上拉电阻从国旗的逻辑I/O电压
主机系统。
EN使能输入
是一个有效的低电平使能输入。驱动器连接低或连接
到地,使正常的设备操作。
在高驱动力从外部MOSFET(S)。EN
不重写OVLO或UVLO故障。
栅极驱动器
一个片上电荷泵是用来驱动栅极以上
在允许使用低成本的N沟道MOSFET。
该电荷泵工作在内部5.5v
调节器.
实际栅极输出电压轨道约
两次直到VIN VIN超过5.5V或旅行的OVLO
超过水平,以先到者为准。这个
max4838a有7.4v典型OVLO;因此门
保持相对恒定,约为10.5v
5.5v < VIN < 3.6V的max4840a有5.8v典型
OVLO,但是这可以作为5.5v低,max4840a
在实践中不可能真正实现全10.5v
门输出。的max4842a有4.7v(典型值)OVLO,
和门的输出电压是输入电压的两倍。
作为输入电压的函数的栅极输出电压
显示在典型的工作特性。
设备的操作
的max4838a / max4840a / max4842a有载
状态机控制设备运行。一
流程图如图6所示。在初始上电时,如果
VIN VIN UVLO或<<如果>> OVLO,门保持在0V,和
旗帜低。
如果VIN UVLO < < OVLO和EN为低,设备进入
一个50ms内延时后启动。内部电荷
启动泵,门开始被驱动
VIN的内部电荷泵。旗帜在低期间举行
启动,直到标志消隐期限届满,通常
门开始走高后50ms。在这
点的设备在其上的状态。
在任何时候,如果输入电压低于UVLO,国旗是驱动
低,门驱动到地面。
max4838a / max4840a / max4842a可
与一个单一的MOSFET配置如图所示
典型的操作电路,或可配置
背靠背的MOSFET,如图7所示。这个
后端到后端配置几乎为零的反向配置
当输入电源低于输出时。
如果反向电流泄漏不是一个问题,一个单一的
MOSFET可用于。这种方法有一半的损失
在使用类似的后端到后端的配置
MOSFET的类型,是一种低成本的解决方案。注
如果输入实际上是拉低,输出是
拉低,以及由于寄生体二极管在
MOSFET。如果这是一个关注,那么后端到后端
应使用配置。
MOSFET的选择
的max4838a / max4840a / max4842a设计
使用一个N沟道MOSFET或双背靠背
N沟道MOSFET。在大多数情况下,
MOSFET的RDS(ON)为VGS电压4.5V工作规定
好.如果输入电源附近的UVLO最大
3.5V,考虑使用一个MOSFET下指定
VGS电压。另外,VDS应30v为MOSFET
在所有的设备范围内承受全部28v。
表1显示选择MOSFET适合
用max4838a / max4840a / max4842a。
在旁路的考虑
对于大多数应用程序,旁路到GND与1µF
陶瓷电容器。如果电源有显着性
电感由于长引线长度,小心防止
过冲由于LC谐振电路和提供
保护如果需要防止超过30V
绝对最大额定值。
的max4838a / max4840a / max4842a提供保护
针对电压28V电压故障,但这并不
包括负电压。如果负电压是一个关注,
一个肖特基二极管连接在接地夹
负输入电压。
ESD测试条件
静电放电的性能取决于一些条件。
的max4838a / max4840a / max4842a指定
对于±15kv典型静电放电电阻时是
绕过一个1µF陶瓷电容器接地。
用于可靠性报告文件的联系准则
测试设置,方法和结果。
人体模型
图8显示了人体模型,如图9所示
显示当放电时产生的电流波形
成低阻抗。该模型包括
一个100pF的电容充电到感兴趣的ESD电压,
然后通过一个设备进入该设备
1.5kΩ电阻。
|
|