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HMC1099LP5DETR原装现货热销/ADI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2016/10/6 10:18:57 特征 高饱和输出功率(PSAT):40.5 dBm的典型
高小信号增益:18.5分贝典型
高功率附加效率(PAE):69%典型
瞬时带宽:0.01至1.1千兆赫
电源电压:VDD = 28伏100毫安
内部提高
为最佳的简单和紧凑的外部调整
性能
32铅,5毫米×5毫米LFCSP封装:25平方毫米
应用
公共移动无线电的扩展电池操作
用于无线基础设施的功率放大器级
测试和测量设备
商业和军用雷达
通用发射机放大
一般描述
是的hmc1099氮化镓(GaN)、宽带功率
放大器提供> 10 W与69%的PAE在
0.01至1.1千兆赫的瞬时带宽,并与一个
典型增益平坦度为0.5 dB。
的hmc1099是理想的脉冲或连续波(CW)
应用,如无线基础设施,雷达,公共
移动无线电和通用放大。
的hmc1099放大器外部调谐使用成本低,
表面贴装组件,并在一个紧凑的
LFCSP封装。
多功能引脚名称可能会被引用他们的相关
函数这是一hmc1099 > 10 W,氮化镓(GaN),功率放大器
由一个单一的增益级,有效地运作,像一个
单场效应晶体管(FET)。该设备是内部
prematched这样简单的外部匹配网络
优化整个操作的性能
频率范围。建议的直流偏置条件
设备在深的类的操作,导致高饱和
输出功率(40.5 dBm的典型)在功率水平的提高
效率(69%个典型)漏极偏置电压从VDD引脚RFout /应用,
和栅极偏置电压通过RFIN / VGG引脚应用。
对于一个单一的应用程序在整个整个应用电路
频率范围内,建议使用外部匹配
典型应用电路中指定的组件(L1、C1、L3,
和C8)如图38所示。如果操作只需要在
一个较窄的频率范围内,性能可以优化
另外通过交替匹配的实现
网络.旁路电容是VDD和VGG推荐。
建议的功率偏置序列如下:
1。连接到GND引脚。
2。设置为8 V的问题−夹断漏电流。
三.设置VDD的28 V(漏电流是掐掉)。
4。调整问题更积极的(约2.5 V至3 V−−)
直到一个静态IDD = 100毫安得到。
5。应用射频信号。
推荐的功率下降偏置序列如下:
1。关闭射频信号。
2。设置为8 V的问题−夹断漏电流。
三.设置VDD的0五
4。集VGG到0 V。
此设备的所有测量都使用了典型的
应用电路,配置如图所示的装配图
(见图38)。电气中所示的偏置条件
规格表(见表1到表3)是操作
建议优化整体性能。
除非另有说明,所示的数据是使用
推荐偏置条件。该hmc1099操作
在其他偏置条件下可能提供的性能
不同于什么是典型的性能显示
特征部分。
评价印刷电路板(PCB)提供hmc1099
在其典型的应用电路,允许使用方便
标准直流电源和50Ω射频测试设备。
使用射频电路设计技术的电路板中使用
中的应用。提供50Ω阻抗的信号线和
直接连接封装的接地引线和裸露的桨叶
到地平面,类似于如图39所示。使用
足够数量的通孔连接顶部和底部
地平面。评估电路板如图39所示
可从模拟设备公司,根据要求。
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