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BQ76200PWR原装现货热销/TI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2016/9/29 10:23:32 特征描述3 的bq76200装置是一种低功耗，高侧N—
1•CHG和DSG高侧NMOS FET驱动器
通道系统。高侧FET保护避免电池保护快速打开和关闭系统接地断开并允许倍连续通信电池之间
•预充电PFET驱动（电流限制预和主机系统。该装置具有额外的pcharge
显着耗尽的电池组）通道FET控制允许小电流预充电
独立的数字使能控制充电到一个深耗尽的电池，和一个包+电压
和放电监控主机，以检测到包+
电压。
需要最少的外部元件
•可扩展的外部电容器基于电荷泵的独立的使能输入允许CHG和DSG
场效应管可以单独打开和关闭，提供适应不同范围的场效应晶体管
在电池系统中的伟大实现的灵活性。并行
•耐高电压（100 V绝对最大）的bq76200装置可与同伴
模拟前端设备如bq76920 / 30 / 40
•内部开关启用组电压传感的家庭，3系列到15系列的细胞模拟前端
常见的和独立的充电和放电监测，和一个主机微控制器或专用
路径配置支持状态的电荷（片上）跟踪气体压力计装置。
应用
•电动车，escooters，和emotorcycles
•储能系统和不间断
电源（不间断电源）
便携式医疗系统
无线基站电池系统
•铅酸（PBA）更换电池
•12伏到48 V电池
bq76200装置是一种低功耗，高侧N沟道MOSFET驱动电池组保护系统，
允许低侧电池保护系统被实现到一个高侧保护系统。
高压侧充/放电FET提供一个巨大的优势，与他们同行的低侧高侧；
实现时，一个系统侧处理器可以随时与显示器或微控制器（单片机）进行通信
在电池组中，无论是场效应管或关闭-这是不容易支持低侧
由于缺乏一个共享的地面参考的开关架构。一个有史以来的一个关键利益
通信链路是能够读取关键包参数，尽管安全故障，从而使
系统，以评估包条件，在确定是否可以恢复正常操作。
该装置允许通过数字使能引脚上的充电和放电的独立控制。该装置具有
集成电荷泵是由cp_en引脚功能。使能输入，chg_en，dsg_en，和
pchg_en控制CHG，DSG，和穿孔FET的栅极驱动器，分别。使能输入
与低侧FET驱动器输出的模拟前端（AFE）如德克萨斯仪器bq769x0
系列，通用微控制器或专用电池组控制器如bq783xx系列。
在正常模式下，AFE或单片机使chg_en和dsg_en，打开CHG和DSG FET
驱动程序将电池电源连接到包+终端。当故障是由AFE或检测
微控制器，它可以禁用chg_en和/或dsg_en为保护开放的充电或放电的路径。
注意，当chg_en或dsg_en启用，电荷泵将自动启用甚至
如果cp_en处于禁用状态。建议使电荷泵通过cp_en引脚在系统
启动避免添加tcpon时间到FET开关正常工作时。
一个较低的充电电流通常适用于一个深耗尽的电池组。的bq76200 pchg_en输入
提供了一个选项，一个P沟道MOSFET预充电路径实现（限制电流路径）的电池组。
一个通常的AFE提供单个电池电压和/或电池组电压的测量，但它不是
有必要的包+电压测量。的bq76200 pmon_en引脚，启用时，将连接
包+电压到packdiv引脚，这是连接到一个外部电阻分压器来缩小
包+电压。这缩小的包+电压可以连接到单片机的ADC输入电压
测量。该系统可以使用此信息进行充电器检测或实现先进的充电
控制。
为了安全起见，所有的使能输入被内部下拉。如果AFE的单片机或是关闭的，或
如果PCB的痕迹被破坏，内部的上拉下来的使能输入会改变，DSG，在关闭穿孔
状态和包+电压不切换到packdiv销。
（vddcp）电容器可以扩展到支持更多的FET并联（如总FET的栅极高
电容）比电气特性表中指定的值。一个更高的vddcp电容结果
在长时间tcpon。查看更多信息的应用程序信息部分。请注意，探索vddcp
销会增加下测量值对电荷泵和结果的作用比V（vddcp）
规范.使用高阻抗探头可以减少这种影响的测量。
电荷泵是由cp_en也or'ed与chg_en和dsg_en输入。这意味着
通过使chg_en或dsg_en孤单，电荷泵会自动开启，即使cp_en销
禁用。的pchg_en控制穿孔针，这是一个P沟道FET驱动器和不需要的
电荷泵的功能。默认情况下，电荷泵关闭了。当cp_en高，电荷泵
打开的状态的chg_en和dsg_en输入。
当cp_en启用，电荷泵电压开始上升。一旦电压高于一个内部
UVLO水平，对典型VBAT 9-V以上，电荷泵是在。电荷泵电压应
连续坡道的V（vddcp）水平。如果chg_en和/或dsg_en启用，CHG和/或DSG
电压将开始转向后的电荷泵电压高于UVLO水平，坡道沿
电荷泵电压V（vddcp）水平。否则，CHG和DSG不打开如果电荷泵
电压不上升高于UVLO。例如，如果C（vddcp）不正确缩放支持数
场效应管并联，重载会阻止电荷泵提升高于UVLO。CHG和DSG
在这种情况下不会被打开。
当chg_en和/或dsg_en后电荷泵是完全打开的chg_en-enable启用，以
CHG延迟（或dsg_en-enable DSG的延迟）是笔（tprop + FET上升时间）。一个系统
这种情况下的配置实例将连接cp_en到主机系统，使cp_en
启动和保持cp_en使正常运行时。这是推荐的配置，因为
电荷泵的上升时间，tcpon，成为系统的启动时间和不添加到FET
正常操作期间的开关延迟。
如果cp_en不使用（这是强烈建议将cp_en地）、电荷泵和状态
通过chg_en或dsg_en控制。CHG和DSG的输出只会在电荷泵后
电压上升超过UVLO。这意味着chg_en-enable来改变延迟（或dsg_en-enable来
DSG延迟）将（tcpon + tprop + FET上升时间）。
电荷泵关闭时，cp_en和chg_en和dsg_en信号都是低。电荷泵
不积极推动对V低电压（vddcp）电容器放掉被动。如果有任何的cp_en，
chg_en，或dsg_en信号切换再高，V（vddcp）电容器还在流血的电荷，
电荷泵的启动时间，tcpon，将短。
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