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TPS22965DSGR原装现货热销/TI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2016/9/14 10:48:34 集成单通道负载开关 输入电压范围：0.8 V至5.7 V
超低的电阻（Ron）
–罗恩= 16米Ω在VIN = 5 V（Vbias = 5 V）
–罗恩= 16米Ω在VIN = 3.6 V（Vbias = 5 V）
–罗恩= 16米Ω在VIN = 1.8 V（Vbias = 5 V）
•6--连续最大开关电流
•Low Quiescent电流（50µ一）
低控制输入阈值使用
1.2-，1.8，2.5，和3.3V逻辑
可配置上升时间
•快速输出放电（隔日一次）（可选）
热垫•儿子8引脚封装
•ESD性能测试每JESD 22
–2000 V HBM和1000-V CDM
2应用程序
•Ultrabook™
•笔记本和上网本
•平板电脑
•消费电子
设置机顶盒和住宅网关
•电信系统
•固态硬盘（SSD）
tps22965x单信道负荷开关
提供可配置的上升时间，以尽量减少浪涌
电流。该器件包含一个N沟道MOSFET
可以工作在一个输入电压范围为0.8 V
至5.7 V，并可以支持一个最大连续
6开关的电流控制在一个上和
关闭输入（上），这是能够直接连接
低压控制信号。在tps22965，一
225Ω片上的负载电阻的增加快速输
当开关关闭时放电。
的tps22965x可在一个小型，节省空间
×2mm 2mm封装引脚（DSG）与儿子
允许高功率的集成热垫
耗散。该装置的特点是操作
超过自由空气温度范围为40°C至
105，Ctps22965x装置是一种单通道，在一个8儿子包6--负荷开关。降低电压
在高电流轨下降，设备实现了超低电阻的N沟道MOSFET。该设备具有
用于需要特定的上升时间的应用程序的可编程转换速率。
该器件在关断状态时具有非常低的漏电流。这将防止下游电路拉高
从电源待机电流。集成控制逻辑、驱动、电源、输出放电FET
消除任何外部元件的需要，减少了材料解决方案的尺寸和清单（BOM）计数。
在CT引脚到GND电容器组的转换率。CT上的电压可以高达12 V；
因此，CT电容器的最小电压额定值必须为25 V，以达到最佳的性能。一个
近似公式CT和转换率之间的关系时VBIAS设置为5 V显示
方程1。这个方程占10%到90%的测量与输出电压不适用于CT = 0 pF。
使用表1确定当CT = 0时的上升时间。在引脚控制开关的状态。高高的主张使开关。上是积极的高，有一个
低阈值，使其能够与低电压信号接口。在引脚上兼容标准
GPIO的逻辑阈值。它可用于1.2伏或更高电压的单片机的GPIO。该引脚不能
悬空，必须驱动或高或低的适当的功能。
10.1.2输入电容器（可选）
为了限制由瞬态浪涌电流引起的输入电源上的电压降，当开关打开到一个
放电负载电容或短路，电容器需要放VIN和GND之间。1µF陶瓷
电容器CIN，放在靠近引脚，通常是足够的。较高的值可以用来进一步减少CIN
高电流应用中的电压降。当切换沉重的负载时，建议有一个
输入电容约10倍，比输出电容器，以避免过电压下降。
10.1.3输出电容器（可选）
在NMOS开关的体二极管因为，CIN大于Cl
是高度推荐。CL
大于CIN可引起输出电压超过VIN当系统电源被删除。这可能会导致电流
通过从VOUT的体二极管的输入电压。CIN的CL
10比1被推荐用于最小化VIN浸
在启动过程中的浪涌电流引起的，但是，一个10至1的比例电容不需要适当的
装置的功能。一个比小于10至1（1～1）可能导致稍微浸在VIN
开启由于浪涌电流。这可以通过增加在CT引脚上的电容更长的时间
上升时间（见可调上升时间段）。
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