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TPS22920YZPR原装现货热销/TI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2016/9/14 10:45:52 特征 1输入电压范围:0.75 V至3.6 V
集成负载开关
•集成FET的导通电阻= 2米通过Ω(典型值)在3.6
典型的电阻
–罗恩= 5.3米Ω在VIN = 3.6
–罗恩= 5.4米Ω在VIN = 2.5
–罗恩= 5.5米Ω在VIN = 1.8
–罗恩= 5.8米Ω在VIN = 1.2
–罗恩= 6.1米Ω在VIN = 1.05
–罗恩= 7.3米Ω在VIN = 0.75
•csp-8封装0.9毫米×1.9毫米、0.5毫米间距
•4连续最大开关电流
•关断电流的5.5µ马克斯
•逻辑上可在两个活跃的高/ Low:
–tps22920活跃高
–tps22920l活跃Low
低阈值控制输入
控制摆率,以避免Inrush Current
快速输出放电电阻
•ESD性能测试每JESD 22
–4000-v人体模型
(a114-b,II类)
–1000-V带电器件模型(C101)
2应用程序
•笔记本电脑/笔记本电脑
•平板电脑
•掌上电脑/智能手机
全球定位系统导航设备
•MP3播放器
描述
是的tps22920x小,节省空间的负荷开关
随着控制的接通,以减少浪涌电流。这个
设备包含一个N沟道MOSFET,可以
操作超过一个输入电压范围为0.75 V至3.6
V和开关电流高达4答:一个集成的电荷
泵偏置NMOS开关以实现
电阻最小开关(辛烷值)。开关
由一个开/关输入(上),这是能够
直接与低压控制信号接口。
的tps22920x拥有1250Ω芯片电
开关关闭时快速输出放电
使输出不悬空。
有一个内部控制的tps22920x上升时间
为了减少浪涌电流。
的tps22920x可在一个超小型,节省空间
8引脚CSP封装和特点
操作在自由空气温度范围
40°C至85°Ctps22920x是单通道,4负荷开关在小,节省空间csp-8包。这个装置
实现了低电阻的N沟道MOSFET有需要限制应用程序控制上升时间
浪涌电流。
该装置也被设计为具有非常低的泄漏电流在关断状态,从而防止下游
电源的高待机电流电路。集成控制逻辑,驱动程序,电源,和
输出放电FET无需额外的外部元件,从而降低了解决方案的尺寸和
物料清单(BOM)计数。在引脚控制开关的状态。对于tps22920,主张高使开关。对于
tps22920l,主张低使开关。在有一个低门槛,使其能够与
低压信号。对GPIO引脚与标准兼容的逻辑阈值。它可以与任何
在1.2V,1.8V或3.3V GPIO控制器,2.5 V。为了限制由瞬态浪涌电流引起的输入电源上的电压降,当开关打开到一个
放电负载电容或短路,电容器需要放VIN和GND之间。一个1μF陶
电容器CIN,放在靠近引脚通常是足够的。较高的值可以用来进一步减少CIN
电压降。CIN大于Cl
强烈建议,由于在NMOS开关的体二极管。CL大
比CIN可以导致VOUT超过VIN当系统电源被删除。这可能会导致电流流
通过体二极管从VOUT与VIN。CIN的CL
10比1被推荐用于最小化VIN浸
启动时浪涌电流引起的。
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