|
|||||||||||||
| 网站首页 | | | 公司介绍 | | | 库存中心 | | | 品牌中心 | | | 新闻资讯 | | | 在线询价 | | | 联系我们 | |
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
| IC库存索引： | A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
 最新IC库存 |
新闻资讯 |
当前位置：首页 > 新闻资讯 |
 EP1AGX50DF1152I6N EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
NLHV3157NDFT2G原装现货热销/ON品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2016/9/12 10:23:48 nlhv3157n是一种先进的CMOS模拟开关的制作 硅栅CMOS工艺。该设备通过模拟和
数字负电压可能在全功率−供应变化
范围（从V到GND）。
特征
•工作电压范围：V = 12 V至4 V−−
•开关信号电压范围：可见= V GND
•积极控制信号电压：电压= 0至3.3 V
•低电阻：罗恩≤5 @ V = 10 V−
•锁−性能超过200 mA
•可用：sc88 6−引脚封装
•这些设备是铅−免费，卤−自由/ BFR免费和
−符合RoHS
†信息在磁带和卷轴规格，
请包括部分方向和磁带大小
参阅我们的磁带和卷轴包装规格
小册子，BRD8011 / D.
笔记:
1。尺寸和公差按ASME Y14.5M，1994。
2。控制尺寸：毫米。
三.尺寸D和E1不包括模具闪光，
突起，或门毛刺。模具的闪光，突起，
或毛刺门不得超过0.20每端。
4。尺寸D和E1在外层的极端
塑料体与基准面
5。基准面A和B是在确定基准H.
6。尺寸B和C适用于平坦部分的
从尖到0.08和0.15之间的铅。
7。维b不包括丹巴尔症。
应当允许丹巴尔症一共0.08
最大物质条件下的尺寸B超。
该所不能位于较低
脚半径
|
|
||||||||