EP1AGX50DF1152I6N

EP1AGX35DF780I6N

EP1AGX50CF484C6N

EP1AGX50DF1152C6N

EP2AGX125EF29I6N

EP2AGX95EF35I6N

EP2A40B724I9N

EP2A40F1020I8N

EP2A40F672I8N

EP2A25F672I8N

EP2A25B724I7N

EP2A15FF672I8N

EP2A15B724I7N

EP2A15F672I8N

EP2AGX95EF35C6N

EP2AGX125EF35C5N

EP2A40B724C9N

EP2A40F1020C8N

EP2A40F672C8N

EP2A25F672C8N

EP2A25B724C7N

EP2A15FF672C8N

EP2A15B724C7N

EP2A15F672C8N

EP4SE530F40I3N

EP4SE290H29I2N

EP4SE290F40I2N

EP4SE680H35I3N

EP4SE680F43I3N

EP4SE680F40I3N

EP4SE360H29I2N

EP4SE360F40I2N

EP4SE290F35I2N

EP4SE230F29I2N

EP4SE110F29I2N

EP4SGX530NF45I2N

EP4SGX530KH40I2N

EP4SGX530HH35I2N

EP4SGX230KF40I2N

EP4SGX230HF35I2N

模具应直接连接到共晶或地平面

导电环氧树脂（见HMC一般搬运、安装、焊接注意）。

50欧姆微带0.127毫米传输线（5密耳）厚的氧化铝

薄膜基板被推荐用于使射频和从芯片

（图1）。如果0.254毫米（10毫米）厚的氧化铝薄膜基板必须

使用的模具，应提出0.150毫米（6密耳）使其表面

该模具与基板的表面共面。实现的一种方式

—

这是把0.102mm（4密耳）厚死到0.150毫米（6 mil）

厚的散热片钼（钼片），然后连接到

接地平面（图2）。

微带基板应位于尽可能接近死亡

为了尽量减少键线长度。典型的模具到基板间距是

富集到0.152毫米（3到6密耳）。

操作注意事项

遵循这些预防措施，以避免永久性的损害。

储存：所有裸模放在松饼或基于凝胶的ESD亲

—

保护容器，然后密封在装运ESD保护袋。

一旦密封的静电放电保护袋已打开，所有的模具应

储存在干燥的氮气环境中。

清洁：在一个干净的环境中处理芯片。不要尝试

使用液体清洗系统清洁芯片。

静态灵敏度：遵循静电措施防止>±250V

ESD罢工。

瞬变：抑制仪器和偏置电源瞬变，而偏置

应用.使用屏蔽信号和偏置电缆，以尽量减少电感回升。

一般处理：处理边缘与真空夹头芯片

或用一把锋利的弯曲的钳。芯片表面可能有脆弱的空气桥，不应该被触摸

真空夹，镊子，或手指。

安装

芯片背面金属化和可安装的模具与金锡共晶瓶坯或导电环氧树脂。

安装表面应清洁和平整。

共晶模具附加：一个80 / 20金锡预成型件，建议用一个工作表面温度为255°C和一个工具

热90 / 10氮气/氢气时，热/ 265氮气/氢气的温度应为290

不暴露芯片的温度大于320°C超过20秒。不超过3秒

洗涤应要求附件。

环氧树脂模具附加：适用于最低量的环氧树脂的安装表面，使薄的环氧树脂圆角观察

在芯片的周边，一旦它被放置到位置。固化环氧树脂按制造商的时间表。

引线键合

球或楔键与0.025mm（1 mil）直径纯金线。热超声引线键合与标称的阶段

150°C温度和球结合力40至50克或18到22克的结合力是消遣

—

建议。利用超声波能量的最低水平实现可靠的焊线。焊线应该开始

在芯片上，并在封装或基板上终止。所有的债券应尽可能短，<< 0.31mm（12密耳）。