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HMC8118原装现货热销/ADI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2016/6/21 10:59:50 一般描述 这是一个综合的hmc8118 E-波段砷化镓（GaAs）
单片微波集成电路（MMIC）同相/
正交（I/Q）上变频芯片，从71 GHz的运行
至76兆赫。的hmc8118提供了一个小的信号转换
与边带抑制在DBC 33损失11分贝
频带。该设备使用一个图像抑制混频器
是由一个6倍频乘法器驱动。差分I和Q混频器输入
提供。输入可驱动差分I和Q
用于直接转换应用的基带波形。
另外，输入可以驱动使用外部90
单边带混合和两外180°杂种
应用。所有数据，包括一个1毫米的金丝的影响
在中频（如果）端口上的楔形键。
特征
转换损耗：11分贝典型
边带抑制：33 dBc的典型
1 dB压缩输入功率（P1dB）：14 dBm的典型
三阶输入截（IP3）：22 dBm的典型
输入二阶截距（IP2）：−5 dBm的典型
6×本地振荡器（LO）泄漏RFOUT：−27 dBm的典型
射频回波损耗：6分贝典型
罗回波损耗：18分贝典型
模具尺寸：3.601毫米1.609毫米0.05毫米
应用
E波段通信系统
高容量的无线回程
测试和测量
操作理论
是的hmc8118 GaAs I/Q变频器与集成
罗湖缓冲器和6乘乘法器。参见图79的功能
电路结构框图。6乘子
允许使用一个较低的频率范围内的输入信号，
通常在11.83至赫兹和14.33赫兹之间。6乘子
使用3个和2个乘子的级联实现。罗
缓冲放大器被包括在芯片上，以允许一个典型的
为充分表现只有2 dBm的驱动电平。LO路径
将正交分路器后伦驱动芯片
I和Q混频器核心。混合芯包括单独平衡
无源混频器。然后，我和Q混频器的射频输出
总结通过一个片上功率合成器和威尔金森
被动匹配提供一个单端输出信号50
在RFOUT垫。
应用程序的信息
偏置序列
的hmc8118使用多个放大器和乘法器的阶段
信号路径。活动阶段所有使用耗尽模式
高电子迁移率晶体管（PHEMTs）。
为了确保不发生晶体管损坏，使用以下
功率偏置序列：
1。应用−2 V偏压vgamp，vgx2，和vgx3。
2。应用−1 V偏压vgmix。
3。采用4 V至vdamp1和vdamp2，并应用1.5 V至vdmult。
4。调整−2 V和0 V之间的vgamp共实现
放大器的漏电流（idamp1 + idamp2）175毫安。
5。应用一个LO输入信号和调整vgx2和vgx3之间
−2 V和0 V达到80毫安的漏电流对vdmult。
要关闭hmc8118，遵循相反的过程。
对于一般的偏置测序的额外的指导，看到
MMIC放大器偏置程序应用笔记。
单边带上转换
一个典型的单边带上转换电路显示在
图80。单边带上转换，外部90°
混合分裂的中频信号成正交条款。然后180°
杂交种或变压器传输差分信号的I和Q
输入对。使用一个可选的偏置三通网络允许
小型直流偏移对正，如果，ifqp应用，和
ifqn输入垫。通过将直流偏移应用到I / Q混频器核心，
6个射频对RF的泄漏可以有所改善。然而,
重要的是电流限制所施加的直流偏置，以避免采购
或下沉超过3毫安的偏置电流。根据
使用的偏置源，它可能是谨慎的添加系列电阻
确保所施加的偏置电流不超过3毫安。对于
应用程序不需要增强的螺抑制，省略
偏置三通，然后直流耦合的I / Q输入到180个混合动力车。
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