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 EP1AGX50DF1152I6N EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
HMC704LP4ETR原装现货热销/ADI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2016/5/9 10:28:12 General Description 设计hmc704lp4e has been the for the best
相位噪声和在可能的最低spurious content
一个集成的锁相环。
fabricated SiGe BiCMOS工艺中，this
分数N锁相环consists of a甚低噪声数字
压控振荡器的相位检测器，器，器和参考
精密控制电荷泵。
超低相位噪声和低在近距离spurious allows
宽的频率跳频和更快bandwidths for循环
phonics低微。
精确的频率和模式modulator 24位小数
提供的能力产生的分数frequencies to the
与零频率误差，an important for feature
数字预失真系统。
只读串行接口能力offers the back and is
在各种protocols学院网兼容。
典型性能特征
除非另有规定，情节是一个50 MHz的PD率测量，在8 GHz的VCO。操作方式在
下面的图是整型（int），分数模式A和B，hikcp（力）或活动（行为）的配置。
强调以上的绝对最大额定值，可能会造成永久性损坏设备。这是
该设备的功能操作，在这些或任何其他条件，上述表示的
本规范的操作部分不隐含。暴露在绝对最大额定条件下进行扩展
周期可能会影响设备的可靠性。
电路板在应用时应采用射频电路设计技术。信号线应该有50
欧姆阻抗而包地线和裸露焊盘应直接连接到
地面类似于显示。一个足够数量的通孔应用于连接顶部和
底层地面。所示的评估电路板是从赫梯索取。
PLL电荷泵可以与电荷泵电源为5.2V高。在变容二极管的电荷泵的输出
调谐端口，通常可以保持低噪声性能，在500中压的地面或800中压的上部供应
电压。
的hmc704lp4e已被设计为最佳的相位噪声和低杂散的内容有可能在一个集成锁相环。
在一个锁相环中的杂散信号可以发生在任何模式的操作，可以来自多个来源。
优点噪声地板和闪烁噪声模型
理想锁相振荡器相位噪声的影响因素：
压控振荡器的频率和相位检测器，
B. VCO的灵敏度，方法，压控振荡器和参考振荡器的相位噪声谱
电荷泵电流，环路滤波器和环路带宽
操作方式：整数，分数阶调
该锁相环的输出相位噪声的贡献可以表现在一个图的优点（FOM）为
该锁相环的噪声地板和锁相环闪烁（1 /法）的噪音区域，如下：
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