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HMC8119原装现货热销/ADI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2016/4/20 10:01:33 一般描述 这是一个综合的hmc8119 E-波段砷化镓（GaAs）
假晶（pHEMT）单片微波集成
电路（MMIC），同相/正交（I/Q）上变频芯片
这工作从81到86到兆赫。提供的hmc8119
小信号转换损耗为10 dB，与边带DBC 22
在整个频段的抑制。该设备使用图像
由一个6乘LO乘法器驱动的抑制混频器。微分
我和混频器的输入提供。输入可以驱动
用差分我和基带波形直接转换
应用。或者，输入可以使用
外部90°杂交和两外180°杂交的单边
应用。所有数据，包括一个1毫米的效果
中间频率（如果）端口的金引线键合键。
特征
转换损耗：10分贝典型
边带抑制：22 dBc的典型
1 dB压缩输入功率（P1dB）：16 dBm的典型
三阶输入截（IP3）：24 dBm的典型
输入二阶截距（IP2）：−5 dBm的典型
6×本地振荡器（LO）泄漏RFOUT：−23 dBm的典型
射频回波损耗：12分贝典型
螺返回损耗：20分贝典型
模具尺寸：3.601毫米1.609毫米0.05毫米
应用
E波段通信系统
高容量的无线回程
测试和测量
在绝对最大值下所列的应力
评级可能会造成永久性损坏产品。这是一个
应力等级；产品的功能操作
或其他在操作中标明的其他条件
本规范的节不隐含。操作超出
延长时间的最大工作条件
影响产品可靠性。
是的hmc8119 GaAs I/Q变频器与集成
LO缓冲区和6乘数。图79为一个功能
电路结构框图。6乘子
允许使用较低的频率范围内的输入信号，
通常在11.83和14.33之间。6乘子
用一个3个和2个乘法器级联实现。本振驱动
放大器被包括在芯片上，以允许一个典型的罗级
为充分表现只有2 dBm。这条路给了一个
正交分片上巴伦随后驱动
我和问混合芯。混合芯包括单平衡
无源混频器。我和混频器的射频输出
总结通过一个片上功率合成器和威尔金森
被动匹配提供一个单端输出信号50
在RFOUT垫。
的hmc8119使用多个放大器和乘法器的阶段
信号路径。活动阶段所有使用耗尽模式
高电子迁移率晶体管（PHEMTs）。
为了确保晶体管损坏不发生，使用以下
动力偏差序列：
1。应用−2 V偏压vgamp，vgx2，和vgx3。
2。应用−1 V偏压vgmix。
3。采用4 V至vdamp1和vdamp2，并应用1.5 V至vdmult。
4。调整−2 V和0 V之间的vgamp共实现
放大器的漏电流（idamp1 + idamp2）175毫安。
5。应用一个LO输入信号和调整vgx2和vgx3之间
−2 V和0 V达到80毫安的漏电流对vdmult。
要关闭hmc8119，遵循相反的过程。
对于一般偏见排序的额外指导，见
MMIC放大器偏置程序应用笔记。
单边带上转换
一个典型的单边带上转换电路显示在
图80。单边带上转换，外部90°
混合分裂，如果信号到正交项。然后180°
杂交种或变压器传输差分信号的I和Q
输入对。使用可选的偏置三通网络允许
小型直流偏移对正，如果，ifqp应用，和
ifqn输入垫。通过将直流偏移应用到我/问混合机的核心，
6到RF的射频泄漏可以有所改善。然而,
它是重要的电流限制的应用直流偏置，以避免采购
或下沉超过3毫安的偏置电流。根据
使用偏置源时，可谨慎增加串联电阻
确保所使用的偏置电流不超过3毫安。对于
应用程序不需要增强的抑制，省略
偏置三通，然后直流耦合的我/问输入到180个-混合动力车。
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