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DGD2103S8-13原装现货DIODES品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2016/4/13 10:57:24 该DGD2103是能够在高压/高速栅极驱动器 驱动N沟道MOSFET和IGBT的半桥式配置。
高压处理技术使DGD2103的偏高
切换到600V的自举操作。
该DGD2103逻辑输入与标准TTL兼容
CMOS电平（低至3.3V）与控制接口轻松
设备。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲
设计最低司机交叉传导。 DGD2103具有固定
520ns的死区时间内（典型值）。
该DGD2103在SO-8提供（TH型）封装，工作
在扩展的-40°C至125°C的温度范围内+。
在引导操作至600V的浮动高侧驱动器
驱动在半桥两个N沟道MOSFET或IGBT
组态
290毫安源/600毫安汇输出电流能力
输出耐负瞬态
520ns保护MOSFET的内部死区时间
宽低侧栅极驱动器电源电压：10V至20V
逻辑输入（HIN和LIN*）3.3V能力
施密特触发逻辑输入
欠压锁定的VCC（逻辑和低端电源）
扩展温度范围：-40°C至+125°C
完全无铅及完全符合RoHS（注1及2）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3）
案例：SO-8（TH型）
外壳材料：模压塑料。 “绿色”模塑料。
UL分类额定值94V-0
湿度敏感度：每J-STD-0203级
终端：完成 - 雾锡电镀信息。
每MIL-STD-202，方法208
重量0.075克数（大约）
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