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DAC7563SDGST原装现货热销/TI品牌代理/价格/图片/PDF
发布时间:2016/4/7 9:52:09

 该DAC756x,DAC816x和DAC856x器件是低功耗,电压输出,双通道,16-,14-,和

12位数字 - 模拟转换器(DAC),分别。这些设备包括一个2.5-V,4-PPM/°C的内部
基准电压源,2.5 V或5 V的满量程输出电压范围内具有参考的初始精度
±5毫伏,并可以提供或吸收高达在VREFIN/ VREFOUT针脚20毫安。
电阻串截面示于图89.这只不过是一串电阻,每个值R的代码的
载入DAC寄存器确定在哪些节点上的串的电压被分出到被送入
通过闭合连接串到放大器的开关之一输出放大器。电阻串
架构在单调。分压开关由增益寄存器控制(见增益函数
部分)。由于输出放大器具有2的增益,当DAC-n的增益设置为1未短路除法
(默认值,如果禁用内部基准),当DAC-n的增益设置为2(默认情况下,如果内部短路
参考启用)。
输出缓冲放大器能够产生在其输出轨至轨电压,得到最大输出的
为0 V范围内,以避免。它能够驱动并联2kΩ及负载3 nF的到GND的。典型的压摆率
0.75伏/微秒,以14微秒的典型全规模稳定时间,如图31,图32,图75和
图76。
该DAC756x,DAC816x和DAC856x设备包括默认情况下禁用2.5 V内部基准电压。
内部外部基准可在VREFIN / VREFOUT引脚。内部参考输出电压
2.5 V,可以吸收和源高达20 mA的电流。
最低150 nF的电容建议参考输出和GND噪声滤波之间。
的DAC756x,DAC816x和DAC856x设备的内部参考是双极基于晶体管的精度
带隙电压参考。图90显示了基本带隙拓扑。晶体管Q1和Q2被偏置
使得Q1的电流密度
比Q2的更大
。两个基极 - 发射极电压的差
(VBE1 - VBE2)具有正的温度系数和被强制电阻R1两端
。该电压被放大并
加到Q2的基极 - 发射极电压
,其具有负温度系数。所得到的输出
电压几乎与温度无关。的短路电流是通过设计限制在大约
100毫安
8.3.3.1上电复位至零刻度
的DAC7562,DAC8162和DAC8562器件包含一个电源接通复位电路,控制输出电压
上电时。所有设备寄存器如表4所示。在上电时复位,所有DAC寄存器充满
零和所有DAC通道的输出电压被设置为零伏。每个DAC通道仍然是这样
直到一个有效的LOAD命令写入其中。在上电复位是在重要的是应用非常有用
知道各DAC的输出的状态,而装置处于上电的过程中。无设备引脚应
被带到加电设备之前高。内部参考默认情况下,并保持禁用
这样,直到一个有效的参考-change命令被执行。
当设备上电,上电复位电路设置在默认模式下的设备如表4所示。POR电路
需要特定的VDD电平,如图91所示,以确保内部的电容器的放电,并复位
上电设备。为了确保一个上电复位,AVDD必须低于0.7伏为至少1毫秒。 什么时候
AVDD低于2.2 V,但仍然高于0.7伏(示为未定义区),该装置可以或可以不
所有指定的温度和电源的条件下复位。在这种情况下,TI建议上电
复位。当AVDD仍高于2.2 V,不发生上电复位。
该DAC756x,DAC816x和DAC856x设备具有掉电命令两套独立的。一组是
对于DAC通道,另一组是用于内部参考。内部参考被迫一
掉电状态,而两个DAC通道断电,仅启用如果有DAC通道
也是在正常的操作模式。有关内部参考控制的更多信息,请参阅内部
参考使能寄存器部分。
该DAC756x,DAC816x和DAC856x DAC采用四种操作模式。这些模式被访问
设置串行接口命令位100。一旦命令位设置正确,四个不同的
掉电模式是通过设置位DB5和DB4移位寄存器软件编程。表5和
表6显示不同的省电选项。有关如何设置DAC操作模式看到的更多信息
表17。


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