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QT60160-ISG原装现货热销/QUANTUM品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2016/3/26 11:02:14 这些器件专为低成本手机和消费电子产品 应用程序。
QMatrix™技术采用横向电荷转移感应电极
它可以做得非常紧凑,而且很容易连接的设计。充电是
从发射电极压入覆面板的电介质,然后
收集在其引导的电荷成采样的接收机电极
电容器然后将其直接转换为数字形式,无需使用
放大器。
键在于,所要求的数量最小化的矩阵格式配置
扫描线和器件引脚。键电极可以设计成一个
常规印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板
(PCB),其为铜图形,或作为在塑料薄膜上印刷导电油墨。
1.1简介
QT60xx0设备是数字突发模式电荷转移(QT)
传感器专为矩阵布局触摸控制设计;
它们包括所有的信号处理功能必要
下各种改变提供稳定的检测
条件。只有很少的外部部件都需要
操作。整个电路可以在几平方内建
单面PCB面积厘米。 CEM-1和FR1
冲压,单面材料可用于最低
可能的成本。多氯联苯后可以齐平安装在
使用常规的玻璃或塑料板的背面
粘合剂,如3M VHB双面粘合剂的丙烯酸膜。
QT60xx0器件采用横向电荷转移(“QT”)
传感,感测电变化的技术
跨越两个电极元件电荷被迫通过一个脉冲边沿
(图1.1)。 QT60xx0设备允许多种密钥大小的
和形状可以在一个单一的触摸面板混合在一起。
该设备使用的I2
C接口允许的关键数据是
提取并允许个人键参数设置。该
命令结构被设计成最小化的量
同时最大化的信息量数据流量
传送。
除了正常的操作和设置功能的设备
也可以报到实际的信号强度。
QmBtn™软件为PC可用于编程
集成电路的操作中,以及读回密钥状态和
实时信号电平。
1.2部分的差异
有该装置的两个版本;一个是能够在
最多16个键(QT60160),其他有能力的
最多24个键(QT60240)的。
这些装置在所有方面都相同,除了
指定键的最大数量。键可以位于
内8 X和3 Y扫描线的电网的任何地方。
未使用的密钥总是从突发序列相比
为了优化速度。同样地,在一个给定的部分较小
启用按键数量将导致任何未使用的收购
突发的时隙从采样序列被缩减
优化采集速度。因此,如果只有14个键,实际上
启用后,只有14个时隙用于扫描。
1.3启用/禁用键
该NDIL参数用于启用和禁用的键
矩阵。设置NDIL = 0的一个关键禁用它(6.5节)。在
没有时间可以启用密钥的数量超过
最大限度地为设备指定(参见1.2节)。
在QT60160,只有第2 Y线(Y0,Y1)是
默认情况下运作。在QT60160,使用位于键
上线Y2,一个或多个预先启用密钥必须
同时禁用同时实现所需的新的密钥。
这可以在一个设置块装载操作来完成。
2硬件和功能
2.1矩阵扫描序列
该电路通过扫描每个按键顺序操作,钥匙
按键。按键扫描开始位置X = 0 / Y = 0(0键)。
X轴键被称为行,而Y轴键被称为
为列,尽管这对实际接线没有任何反映。
密钥由行顺序扫描,例如
序列X0Y0 X1Y0 .... X7Y0,X0Y1,X1Y1 ...等键是
也是从0到23编号。 0键位于X0Y0。
表2.1所示的关键编号。
在收购脉冲,其一阵每个键采样
长度是由设置参数BL(19页)确定;
这可以在每个键的基础上进行设置。突发完成
完全前下一个键被采样;在每个端
突发所得到的信号转换为数字形式并
处理。突发长度直接影响到关键的收益;每
密钥可以有一个独特的突发长度,以允许定制
的关键逐键的基础上按键的灵敏度。
2.2突发削皮
由设置NDIL = 0(6.5节禁用键,
第18页)有他们的阵阵扫描序列中删除
节省扫描时间。其结果是,较少的键是
所使用的设备可以响应速度越快。所有校准时间
当按键被禁用减少。
2.3铯采样电容操作
CS电容器吸收了从负责在关键电极
各X脉冲的上升沿。上的X,在Y的每个下降沿
矩阵线被钳位到地,以使电极和
布线收费,为下一个脉冲制剂中和。
每个X脉冲充电聚积在铯使
在它的差分电压楼梯上升。
突发完成后,该装置夹紧在Y线
地面造成对端去负。该
上铯电荷然后使用外部电阻器来测量
斜坡负极端子向上直到过零点是
实现。所需要的时间零交叉成为
测量结果。
在Cs应连接如图2.7,第9页。
这些电容的值不是关键的,但4.7nF是
建议在大多数情况下。它们应该是10%
X7R陶瓷。从X到横向电容耦合
Y是足够大的一个铯电容上的电压可以达到饱和,
摧毁增益。在这种情况下,脉冲串长度应
减少和/或铯的值增加。参见2.4节。
如果不使用A Y线及其相应的铯电容器可以
省略和销悬空。
2.4采样电容饱和
在销YNB CS电压饱和,如图2.1所示
饱和开始发生时在YNB引脚的电压
变为在脉冲串的端部比-0.25V更负。
这种非线性是由电压过高造成的
在PIN保护积累的铯诱导传导
二极管。这严重饱和的信号,破坏关键的增益和
引入了一个强有力的热膨胀系数可引起
“虚拟”的检测。这样做的原因是无论是从突发
长度过长,在Cs值太小,或
X-Y传输耦合是太大。解决方案包括
松动的关键结构交错,多个分离
PCB上的X和Y的行,增加Cs和
减小突发长度。
增加铯会使部分慢;减少爆
长度会使其不太敏感。一个更好的PCB布局和
松散键结构体(最多的点)不会有负面影响。
CS电压应与示波器观察
粘合到面板材料基质层;如果满足卢比侧
任何铯坡道比-0.25伏更负任何突发期间
(不包括过冲尖峰这是探头的文物)
还有一个潜在的饱和问题。
图2.2示出了类似的2.1缺陷波形,
但在这种情况下,失真由过度杂散引起
从Y线交流接地电容耦合;对于
例如,从太近跑太远旁边一个
地线,接地平面,或其他痕迹。过量
耦合引起的电荷转移作用消散一个
从钥匙插入所接收的电荷的显著部
杂散电容。这种现象更加微妙;有可能
通过BL提高到一个较高的计数,看最好的检测
波形做什么,因为它向下降及以下
-0.25V。波形将看似笔直,但它
会慢慢变平甚至在-0.25V水平
到达。
正确的波形如图2.3所示。注意,该
底迹的底边基本上是直
(忽略下降的峰值)。
不像其他的QT电路,在Cs上QT60xx0电容值
器件在转换增益没有影响。但是,它们
影响转换时间。
未使用的Y布线应由开放。
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