ADUM4135BRWZ原装现货热销/ADI品牌代理/价格/图片/PDF - 新闻资讯

该ADuM4135 IGBT栅极驱动器，无需外部接口

电路，用于逻辑接口。电源旁路是必需的

在输入和输出供电引脚。使用小型陶瓷电容器

0.01μF和0.1μF之间的值，以提供一个良好的

高频旁路。在输出电源引脚，VDD2，它是

建议还加一个10μF的电容提供充电

以驱动栅极电容在ADuM4135输出必需的。

在输出电源引脚，避免在旁路采用通孔，

电容或雇用多个过孔，以减小电感的

该旁路。的在两者之间的走线总长结束

较小的电容和所述输入或输出电源引脚

不得超过5毫米。

传播延迟相关参数

传播延迟描述它需要一个逻辑信号，以时间

通过一个组件传播。传播延迟到低

输出可从传播延迟到高输出不同。该

ADuM4135指定tDLH作为上升的输入之间的时间

高逻辑阈值（VIH）的产量提升10％的阈值（见

图20）。同样地，落入传播延迟（tDHL）被定义

作为输入的时间间隔落下逻辑低阈值（VIL）和

输出下降90％阈值。上升和下降时间

依赖于负载条件，并且不包括在

传播延迟，这是栅极驱动器的行业标准。

检测饱和度降低

偶尔，组件故障或故障的发生

电路连接到连接到ADuM4135了IGBT。

实例包括短裤在电感器/电机绕组或

短裤电源/接地总线。由此产生的过量电流

流动使IGBT出来饱和。为了检测这种

条件并减少损害到FET的可能性，一

阈电路被用来对ADuM4135。如果DESAT引脚

超过9 V，而在饱和度阈值（VDESAT，TH）

高边驱动器开启时，ADuM4135进入故障状态

并开启IGBT关闭。这时，FAULT引脚被带到

低。的500微安的内部电流源被提供，以及

选择使用外部电流以提高充电电流

源或上拉电阻。该ADuM4135具有内置

消隐时间，以防止误触发，而IGBT第一

打开。去饱和检测和报告之间的时间

去饱和故障的FAULT引脚小于2微秒（黎港）。

带来RESET低，以清除故障。有一个500 ns的防抖动

RESET引脚上（tDEB_RESET）。的时间，tDESAT_DELAY，示于

图21，提供了一个300纳秒掩蔽时间，保持内部

开关，理由消隐电容的低绑

准时IGBT的初始部分。

为下面的设计例如，参照中所示的示意性

图28与在正常在图21的波形沿

操作中，在IGBT的关断时间，横跨在IGBT的电压，

VCE，上升到提供给系统的干线电压。在这种情况下，

阻塞二极管关断，保护从ADuM4135

高电压。在关断时间，内部去饱和

开关打开，接受电流通过RBLANK去

电阻，这使得CBLANK电容器保持在低

电压。对时间的IGBT的第1 300 ns，则DESAT

开关保持上，夹紧DESAT引脚电压低。后

在300纳秒的延迟时间，所述DESAT销被释放，并且DESAT

引脚允许的内部电流对VDD2上升要么

源DESAT销上，或者另外地与可选的外部

拉，RBLANK，增加电流驱动器，如果它不夹紧

由收集器或开关的漏极被驱动。 VRDESAT是

选择以抑制此时的电流，一般选择围绕

100Ω2kΩ的。选择阻断二极管来阻止上述

在IGBT的集电极高干线电压和要快

恢复二极管。

在一个去饱和事件的情况下，VCE上升到9伏以上

门槛的去饱和检测电路。如果没有RBLANK电阻

用于增加对消隐消隐电流，电压

电容，CBLANK，上升在由除以500μA的速度（典型值）

CBLANK电容。根据IGBT的规格，

消隐约2微秒的时间是一个典型的设计选择。

当DESAT引脚上升到高于9 V的阈值，故障

寄存器，并在200纳秒，栅极驱动器输出低电平。该

输出使用N-FET MOSFET故障，带来了其低

比内部栅极大约50倍的电阻更

驱动N型场效应晶体管，以执行一个软关机降低的机会

突然关断期间的IGBT的过电压尖峰的

事件。内2微秒，故障被传递回主

侧FAULT引脚。要清除故障，需要复位。

米勒钳位

该ADuM4135具有一个集成的米勒钳位电压降低

尖峰上期间造成的密勒电容IGBT栅极

关断IGBT的。当输入门信号要求在IGBT

关闭（驱动为低电平）时，米勒钳位MOSFET起初

关闭。当GATE_SENSE引脚上的电压超过2 V

内部电压基准，参考于VSS2，内部

米勒钳位锁存为的关闭时间剩余

IGBT，创建栅极的第二低阻抗电流路径

电流跟随。米勒钳位开关保持到

从低到高的输入驱动信号的变化。一个例子波形

的定时的示于图22。

门电阻的选择

所述ADuM4135提供两个输出节点对的驱动

的IGBT。这种方法的好处是，用户可以选择

为导通两个不同的串联电阻和关断

IGBT的。它一般需要有关断发生快

比导通。要选择串联电阻，决定什么样的

最大允许峰值电流的IGBT。知道了

在栅，以及内阻电压摆动

栅极驱动器，一个外部电阻可以选择。

IPEAK =（VDD2 - VSS2）/（RDSON_N + RGOFF）

例如，如果关断峰值电流是4所述的，具有（VDD2 - VSS2）

18 V的，

RGOFF =（（VDD2 - VSS2） - IPEAK×RDSON_N）/ IPEAK

RGOFF =（18 V - 4 A×0.6Ω）/ 4 A = 3.9Ω

RGOFF被选择之后，一个稍大RGON可被选择为

以较慢的到达开启时间。

功耗

期间的IGBT栅极的驱动，驾驶员必须消散

功率。这股力量是不可忽视的，如果能导致TSD

考虑都不能进行。一个IGBT的栅极可以是大致

模拟作为容性负载。由于米勒电容等

非线性，通常的做法是把规定的输入

电容，CISS，一个给定的IGBT的，并通过一个因子乘以

5在一个保守的估计到达接近负载是

驱动。与此值时，在所估计的总功率耗散

由于开关动作系统由下式给出

PDISS = CEST×（VDD2 - VSS2）

×FS

哪里：

CEST = CISS×5。

fS为IGBT的开关频率。

这个功耗内部上共享

内部栅极驱动器开关和外部的电阻

栅极电阻，RGON和RGOFF。内部栅极的比率

电阻的总串联电阻允许计算

在ADuM4135芯片内部看到的损失。

PDISS_ADuM4135 = PDISS×0.5（RDSON_P /（RGON + RDSON_P）+

RDSON_N /（RGOFF + RDSON_N））

同时在芯片内部发现了功耗和

由θJA乘以它给高于环境温度的上升

该ADuM4135经验。

TADuM4135 =θJA×PDISS_ADuM4135 TAMB +

对于设备保持规定的范围内，TADUM4135绝

不超过125℃。如果TADuM4135超过155°C（典型值）时，

器件进入热关断。