|
|||||||||||||
| 网站首页 | | | 公司介绍 | | | 库存中心 | | | 品牌中心 | | | 新闻资讯 | | | 在线询价 | | | 联系我们 | |
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
| IC库存索引： | A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
 最新IC库存 |
新闻资讯 |
当前位置：首页 > 新闻资讯 |
 EP1AGX50DF1152I6N EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
RF430CL330HTPWRQ1原装现货热销/TI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2016/3/7 10:58:06 汽车应用认证•SRAM的3KB的NDEF消息 •NFC标签类型4•NDEF结构的自动检查
•ISO14443B兼容的13.56MHz射频接口•中断寄存器和输出引脚来指示NDEF
支持高达848 kbps的读或写操作完成
•SPI或I
2C接口读写NDEF
消息内部SRAM
双模式串行通信接口支持SPI或I2C通信。串行
接口允许写入和读取内部存储NDEF以及配置设备
手术
I2C或SPI模式之间的选择期间该装置的电和初始化阶段发生
基于引脚SCMS/ CS输入电平（参见表5-1）。
在初始化过程中，集成的上拉电阻拉SCMS/ CS高，这使得SPI默认
接口。为了使我
2C，该引脚必须从外部连接到低电平。上拉电阻后被禁止
初始化以避免在正常操作期间通过电阻器的任何电流。在SPI模式下，引脚恢复
初始化后的CS功能。
要写入数据时，该设备正在使用指定我解决
用R / W =0，接着2C设备地址
所述第一地址的高8位写入与该地址的低8位。下一页（无
重复START），以开始在指定地址写入的数据被接收。与每个数据字节
接收时，地址自动加1的写访问是由STOP终止
在我的条件
I2C总线
读取数据，该装置使用指定的我寻址
用R / W =0，接着2C设备地址
要读取的第一地址的高8位，然后将该地址的低8位。接着，重复
启动条件有望与我
图2C的设备地址和R / W= 1的装置，然后传送数据
在指定的地址开始，直到颈部和STOP条件接收。
到数据写入装置（见图5-6），这之后是主发送一个写命令
（0×02），接着由第一地址的高8位被写入，然后的该低8位
地址。接着，在指定的地址开始被接收要写入的数据。与每个数据字节
接收时，地址自动增加1通过拉动CS的写访问被终止
引脚为高电平。
|
|
||||||||