MCP6541T-I/LT原装现货热销/Microchip品牌代理/价格/图片/PDF - 新闻资讯 - 深圳市安盛创科技有限公司

安盛半导体

|

|

|

|

|

|

安盛半导体

IC库存索引：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

最新IC库存

新闻资讯

当前位置：首页 > 新闻资讯

MCP6541T-I/LT原装现货热销/Microchip品牌代理/价格/图片/PDF
发布时间：2016/3/2 9:53:20

•低静态电流：600 NA /比较器（典型值）。

•轨到轨输入：VSS - 0.3V至VDD+ 0.3V

•CMOS/ TTL兼容输出

•传播延迟：4微秒

（典型值，100 mV过载）

•宽电源电压范围：1.6V至5.5V

•提供单，双和四

•单可在SOT-23-5，SC-70-5封装*

•片选（CS）与MCP6543

•低开关电流

•内部迟滞：3.3毫伏（典型值）。

•温度范围：

- 工业级：-40°C至+85°C

- 扩展：-40°C至+125°C

典型应用：

•笔记本电脑

•手机

•计量系统

•手持电子设备

•RC定时器

•报警和监控电路

•窗比较器

•多谐振荡器

正电源引脚（VDD）为1.6V至5.5V

比负电源引脚（VSS）高。对于

正常工作时，其他引脚的电压

VSS和VDD之间。

通常，这些零件在一个单独使用的（正）

供电配置。在这种情况下，VSS连接到

接地，VDD连接到电源。 VDD将

需要一个旁路电容（一般为0.01μF至

0.1μF）2毫米VDD引脚的范围内。这些可以共享一个

与附近的模拟器件大电容（内

100毫米），但它不是必需的。

比较器输出为CMOS，推挽数字

输出。它们被设计为与之兼容

CMOS和TTL逻辑，可以用于驱动重

DC或容性负载。

上输入的ESD保护可以描述为

如图4-1所示。这种结构被选择

保护输入晶体管，并最小化输入偏置

电流（IB）。输入ESD二极管钳位输入

下面，当他们试图去一个以上的二极管压降

VSS。他们还进行钳位走得太远任何电压

以上VDD;它们的击穿电压足够高，以

允许正常运转，低到足以绕过ESD

在规定范围内的事件。

为了防止损坏和/或操作不当

这些放大器的，它们都在电路必须限制

电流（和电压）在VIN和VIN引脚（见

绝对最大额定值†之初

第1.0节“电气特性”）。图4-3

给出了推荐的方法来保护这些

输入。内部ESD二极管防止输入引脚

从去太远低于地电压（VIN和VIN），和

电阻器R1和R2，限制绘制的可能的电流

出输入引脚。二极管D1和D2防止输入

引脚（VIN+和VIN-）的电压远高于VDD。

当实现如图所示，电阻R1和R2也

限制电流通过

另外，也可以将二极管连接到的左

电阻R1和R2。在这种情况下，电流通过

二极管D1和D2需要由某些其它的限制

机制。电阻然后用作浪涌电流

限制器;的直流电流流入输入引脚（VIN和

VIN-）应该是非常小的。

当前的显著量能流出来的

输入时的共模电压（VCM）低于

地（VSS）;见图2-37。应用程序是

高阻抗可能需要限制可用的电压

范围。

该系列器件的输入级采用两个

差分输入级并行：一是在低工作

输入电压和其他在高输入电压。同

这种拓扑结构，输入电压高于VDD和0.3V

0.3V以下VSS。因此，输入偏移电压是

在VSS - 0.3V和VDD+ 0.3V保证

正确的操作。

该MCP6541/1R / 1U/ 2/3/4系列比较器内部设置

滞后是足够小，能够维持输入失调

精度（<7毫伏）和足够大，以消除输出

振荡等等，引起比较自己的输入噪声

电压（200μVP-P）。图4-3显示了这种行为。

热销库存 EP4SE360H2 EP4SE360F4 EP4SE290F3 EP4SE230F2 EP4SE110F2 EP4SGX530N EP4SGX530K EP4SGX530H EP4SGX230K	优势库存 EPF10K50FI EPF10K50FI EPF10K500V EPF10K30AF EPF10K200S EPF10K200S EPF10K50VB EPM9560ABI EPM8820ABI	热门IC品牌 MICROCHIP TOSHIBA NXP VISHAY INFINEON TI AVAGO ADI ST	关于我们公司简介招聘信息联系我们
© 2013 -2017 深圳市安盛创科技有限公司版权所有粤ICP备12084219号