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EP1AGX50DF1152I6N
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AFT09MS007NT1原装现货热销/Freescale品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2016/1/4 10:19:45 射频功率LDMOS晶体管 高耐用N - 通道
增强 - 模式横向MOSFET
专为手持设备 - 双向无线电应用与频率
136至941兆赫。这样做的高增益,耐用性和宽带性能
装置使其非常适用于大 - 信号,共同 - 源放大器应用
在手持无线电设备。
1.测在870 MHz的窄带测试电路。
2.测在350-470 MHz的超高频宽带基准电路。
3.测量450-520 MHz的超高频宽带基准电路。
4.测量760-860 MHz的超高频宽带基准电路。
5所示的值是在整个最小测量的性能数
指示的频率范围。
特征
特点是工作在136至941兆赫
无与伦比的输入和输出允许频率范围宽利用
集成ESD保护
集成的稳定性增强
宽带 - 在整个频段全功率
卓越的散热性能
超强的坚固
高线性度为:TETRA,SSB
在磁带和卷轴。 T1后缀=1000单元,16个毫米录像带宽度,7 - 寸卷轴。
典型应用
输出级VHF频段手持对讲机
输出级UHF频段手持对讲机
为700-800 MHz的手持电台输出级
请参考以下文档,软件和工具,以帮助您的设计过程。
应用手册
AN1955:射频功率放大器热测量方法
工程通报
EB212:使用数据表阻抗的RF LDMOS器件
软件
电迁移MTTF计算器
射频高功率模型
.s2p文件
开发工具
印刷电路板
对于软件和工具,做了编号搜索在http://www.freescale.com,并选择“编号”链接。转至
该部分的产品汇总页上的软件和工具选项卡中下载相应的工具。
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