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AFT20S015GNR1原装现货热销/Freescale品牌代理/价格/图片/PDF
发布时间:2016/1/4 10:17:44

 射频功率LDMOS晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
这些1.5瓦的RF功率LDMOS晶体管被设计用于蜂窝基站
台应用领域涵盖了1805的频率范围为2700兆赫。
2100兆赫
典型的单 - 载波W - CDMA性能:VDD=28 V直流,
IDQ的132毫安,噘嘴=1.5瓦平均,输入信号PAR=9.9分贝@0.01%
概率的CCDF。
请参考以下文档,软件和工具,以帮助您的设计过程。
应用手册
AN1907:回流焊安装方法的高功率射频器件塑料封装
AN1955:射频功率放大器热测量方法
AN3789:高功率射频晶体管和射频集成电路的过度夹紧 - 模压塑料封装
工程通报
EB212:使用数据表阻抗的RF LDMOS器件
软件
电迁移MTTF计算器
射频高功率模型
.s2p文件
开发工具
印刷电路板
对于软件和工具,做了编号搜索在http://www.freescale.com,并选择“编号”链接。转至
该部分的产品汇总页上的软件和工具选项卡中下载相应的工具。
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所授予的许可设计或制造的基础上任何集成电路
本文件中的信息。
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在本文中。飞思卡尔不作任何保证,声明或有关担保
适合其产品的任何特定用途,也不飞思卡尔承担任何
责任所产生的任何产品或电路的应用或使用,特别是
不承担任何责任,包括但不限于间接或附带
赔偿。可在飞思卡尔的数据表提供了“典型”参数和/或
不同规格可以做不同的应用程序和实际性能可能
随时间变化。所有的操作参数,包括“典型”,必须进行验证
每个客户的客户应用的技术专家。飞思卡尔并没有传达
根据其专利权的任何许可,也不是他人的权利。飞思卡尔销售的产品
按照标准条款和销售条件,可在下面找到
地址:freescale.com/SalesTermsandConditions。
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