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MRF6V2010NR1原装现货热销/Freescale品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2016/1/4 10:06:45 N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET 信号输出和驱动器应用 - 主要是为CW大设计
频率高达450 MHz。设备是无与伦比的，并适用于在使用中
工业，医疗和科学应用。
•在220 MHz的典型CW性能：VDD=50伏，IDQ= 30毫安，
噘嘴=10瓦
功率增益ó23.9分贝
漏极效率Ó62％
•能够处理10：1 VSWR，@50伏，220兆赫，10瓦CW
输出功率
特征
•特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•合格高达50 VDD工作电压最大值
•集成ESD保护
•225℃有能力塑料包装
•符合RoHS
•TO - 在磁带和卷轴270--2。 R1每24毫米后缀=500单位，
13英寸的卷轴。
•TO - 在磁带和卷轴272--2。 R1每44毫米后缀=500单位，
13英寸的卷轴。
上面这个图表显示以小时计算的平均无故障时间时，该设备
在VDD操作=50伏直流电，噘嘴=10瓦CW，andηD=62％。
MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf。 选择
软件及工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按产品。
请参考下列文件，以帮助您的设计过程。
应用手册
•AN1907：回流焊安装方法的高功率射频器件塑料封装
•AN1955：的RF功率放大器热测量方法
•AN3263：狼吞虎咽的安装方法，高功率RF晶体管和射频集成电路中过 - 模压塑料封装
工程通报
•EB212：使用数据表阻抗的RF LDMOS器件
软件
•电迁移MTTF计算器
•射频高功率模型
本文件中的信息是专门提供给帮助系统和软件
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任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但
不限于间接或附带损失。 ìTypicalî参数可能
提供飞思卡尔半导体数据表和/或规格可以做
根据不同的应用和实际性能可能随时间变化。所有操作
参数，包括ìTypicalsî，必须为每个客户的应用程序通过验证
customerís技术专家。飞思卡尔半导体不会转让任何许可
根据其专利权或他人的权利。飞思卡尔半导体的产品
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外科植入到体内，或用于支持或维持生命的其他应用程序，
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购买或使用飞思卡尔半导体产品用于任何意外或
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半导体是疏忽就部分的设计和制造。
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