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EP1AGX50DF1152I6N
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INA826AIDGKR原装现货热销/TI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2015/12/18 9:53:51 应用信息 图58示出了所需的INA826的操作的基本连接。良好的布局实践任务的
使用旁路电容尽可能靠近器件引脚越好。
该INA826的输出称为输出参考(REF)终端,其通常接地。 本
连接必须是低阻抗,以保证良好的共模抑制。虽然5Ω以下的杂散
性是可以容忍的维持指定的几十欧姆的串联共模抑制比,小的杂散电阻,而
与REF引脚可引起明显下降的共模抑制比。
增益漂移
外部增益设置电阻器的稳定性和温度漂移,RG,也会影响收益。的贡献
RG获得的精度和漂移可以从公式1的增益被直接推断。
1 ppm的最佳增益漂移/℃可当INA826采用G = 1没有RG连接来实现。在这种情况下,
增益漂移只有通过集成50kΩ的电阻温度系数的轻微失配的限制
在差分放大器(A3
)。为g大于1,增益漂移随着的个体漂移的结果
24.7kΩ的电阻,A1和A2的反馈
相对于外部增益电阻器RG的漂移。处理
反馈电阻的温度系数的改善,已能够指定一个
是35ppm /℃的反馈电阻的最大增益漂移,从而显著改善整个温度
使用增益大于1的应用程序的稳定性。
需要高增益低电阻值,可以使布线电阻重要。插座添加到布线
性和在大约收益贡献额外的增益误差(如可能不稳定的增益误差)
100或更大。为了确保稳定性,避免超过几个pF寄生电容在RG连接。
对两个RG引脚上的任何寄生精心匹配保持最佳共模抑制比频率;见典型
特性曲线(图19和图20)。
参见图58为INA826的简化表示。更详细的图(图60所示)
提供了额外的洞察INA826操作。
每个输入由两个场效应晶体管(FET),提供在正常的低串联电阻的保护
信号状态,并保持出色的噪声性能。当过大的施加电压时,这些
晶体管限制输入电流约为8毫安。
差动输入电压是由Q1和Q2进行缓冲,且印象横跨RG,使信号电流
流经RG,R1
,和R2
。该输出差放大器,A3
,去除输入的共模成分
信号和指的输出信号到REF端子。
在图60所示的等式描述A1和A2的输出电压
。两端的VBE和电压降
上A1和A2 R1和R2产生的输出电压
是大约比输入电压为0.8V以上。
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