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SiC783ACD原装现货热销/Vishay品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/12/14 10:59:55 描述 该SiC783A是一个集成功率级解决方案
同步降压应用提供最优化
大电流，高效率和高功率密度
性能。在包装Vishay的专有MLP6毫米
×6毫米封装，SiC783A使稳压器
设计以提供电流高达每相50A的。
内部功率MOSFET采用Vishay的
沟槽MOSFET技术，提供先进设备，最先进的
行业基准性能显著减少
开关和传导损耗。
该SiC783A采用了先进的MOSFET栅极
驱动IC，具有高电流驱动能力，
自适应死区时间控制，一个集成的自举
肖特基二极管，和热警告（THWN）的警报
过度的结温系统。该驱动程序
宽范围的PWM控制器兼容
支持三态PWM逻辑（3.3 V），以及零电流
检测，以提高轻负载效率。
特征
•热增强型PowerPAK®MLP66-40L包
•行业基准MOSFET，具有集成肖特基
二极管
•提供高达50A的连续电流
•高工作频率高达1MHz
•针对12 V输入电压轨的应用
•有三态门限3.3 V PWM逻辑
•零电流检测控制，轻负载效率
改进。
•短PWM传播延迟（<20纳秒）
•热的监视标志
•更快禁用
•欠压VCIN锁定（UVLO）
应用
•同步降压转换器
•多相VRDS为CPU，GPU和内存
•DC / DC POL模块
PWM输入与三态功能
PWM输入从VR接收PWM控制信号
控制器IC。 PWM输入的设计是兼容
利用国家二级标准的逻辑控制器（H和L）和
先进的控制器，集成三态逻辑（H，L
和三态）的PWM输出。 PWM输入操作为
如下两种状态逻辑。当PWM高于驱动
VTH_PWM_R低侧截止，高侧是
打开。当PWM输入的驱动之下VTH_PWM_F的
高侧断开和低侧接通。对于三态
逻辑，所述PWM输入如上操作用于驱动
的MOSFET。但是，如果将PWM输入保持三态为
三态保持关闭期间，tTSHO，高边和低边
的MOSFET截止。该功能允许VR阶段
没有负输出电压摆幅被禁用
引起的电感的振铃和节省了肖特基二极管
钳。的PWM和三态区域由分离
迟滞以防止误触发。
该SiC783A集成了PWM电压阈值是
3.3 V逻辑兼容。
禁用（DSBL＃）
在低状态下，DSBL＃销关闭驱动器IC和
禁用高边和低边MOSFET。在这
状态，备用电流被最小化。如果DSBL＃留
未连接内部下拉电阻将拉动销
到CGND并关闭IC。
二极管仿真模式（ZCD_EN＃）
当ZCD_EN＃引脚为低电平和PWM信号开关低，
GL被强制（在正常的BBM时间）。在此期间，它
是在ZCD控制（零检测）
比较。如果，内部消隐延迟之后，电感
电流变为零，GL是关闭的。这提高了光
通过避免输出电容器的放电负载效率。
如果PWM进入三态，那么设备将进入正常
三态延迟后，三态模式。在GL输出将是
原来电感电流断不顾，这是一个
对提高轻负载效率的替代方法
降低开关损耗。
热警告（THWN）
该THWN引脚为漏极开路信号旗的存在
过度的结温。一个最大的连接
20kΩ的拉该引脚最多VCIN。的内部温度
传感器检测结温。气温
阈值为160℃。当这个结温
超出THWN标志被设置。当结
温度低于135℃的设备将清除
THWN信号。该SiC783A不会停止运转时，
该标志设置。该决定关闭必须进行
外部热控制功能。
输入电压（VIN）
这是电源输入到高侧功率的漏极
MOSFET。该引脚被连接到高功率
中间总线轨道。
交换节点（VSWH和相位）
开关节点，VSWH，是电路功率级输出。
这是施加到功率电感器和输出的输出
过滤以提供为降压转换器的输出。
相引脚内部连接到开关节点
VSWH。该引脚被专门用作返回引脚
自举电容。一个20kΩ的电阻连接之间
GH和相位，以提供用于HS的放电路径
MOSFET在事件VCIN变为0，同时VIN为仍
应用。
接地连接（CGND和GND）
PGND（电源地）应在外部连接到
CGND（控制信号地）。印刷电路的布局
板应使得该电感分离CGND
和PGND被最小化。由于瞬时差异
与这两个引脚电感效应不应该
超过0.5 V.
控制与驱动电源电压输入（VDRV，VCIN）
VCIN是偏置电源栅极驱动控制IC。 VDRV是
该偏置电源的栅极驱动器。建议
通过一个电阻器分开这两个引脚。这将创建一个低
低通滤波作用，以避免高频率门耦合
司机噪声进入IC。
自举电路（BOOT）
一个集成的自举二极管被结合，以便只
一个外部电容器是必要完成
自举电路。连接一个自举电容与一个
腿绑BOOT引脚和其他绑PHASE引脚。
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