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SIC789ACD原装现货热销/Vishay品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/12/14 10:54:17 该SiC789和SiC789A是集成功率级 解决方案同步降压应用优化
提供大电流，高效率，和高功率
密度性能。在包装Vishay的专有
6毫米×6毫米MLP封装，SiC789和SiC789A启用
电压稳压器设计，可提供高达60 A连续
目前每相。
内部功率MOSFET采用Vishay的
第四代TrenchFET技术，提供先进设备，最先进的
行业基准性能显著减少
开关和传导损耗。
将SiC789和SiC789A采用了一款先进
MOSFET栅极驱动器IC，具有高电流驱动
能力，适应死区时间控制，集成
自举肖特基二极管，热警告（THWN）的
警报的结温过高的制度，
跳跃模式（SMOD＃），以提高轻负载效率。该
驱动程序也具有广泛的PWM兼容
控制器和支持三态PWM，3.3 V（SiC789A）/
5 V（SiC789）PWM逻辑。
特征
•耐热增强型PowerPAK®MLP66-40L
包
•Vishay的第四代MOSFET技术和
低端MOSFET集成了肖特基
二极管
•提供高达60 A连续电流
•95％的峰值效率
•高工作频率高达1.5兆赫
•功率MOSFET的12 V输入级优化
•3.3 V（SiC789A）/5与三态V（SiC789）PWM逻辑和
推迟
•SMOD＃轻负载效率提高逻辑
•低PWM传播延迟（<20纳秒）
•热的监视标志
•更快的启用/禁用
•欠压锁定为VCIN
PWM输入从VR接收PWM控制信号
控制器IC。 PWM输入的设计是兼容
利用国家二级标准的逻辑控制器（H和L）和
先进的控制器，集成三态逻辑（H，L
和三态）的PWM输出。对于国家二级逻辑，
PWM输入操作如下。当PWM高于驱动
VPWM_TH_R低侧截止，高侧是
打开。当PWM输入的驱动之下VPWM_TH_F的
高侧截止，低边被接通。对于
三态逻辑，PWM输入进行操作如前所述
用于驱动MOSFET的PWM时为逻辑高和逻辑
低。然而，存在输入为所述第三状态
三态兼容控制PWM输出进入高
在关机阻抗状态。高阻抗
控制器的PWM输出状态允许的SiC789和
SiC789A拉PWM输入到三州地区（参见
定义PWM逻辑和三州，无花果。 4）。如果PWM
输入电压范围保持在该地区的三态保持关断期间，
tTSHO，高边和低侧MOSFET被接通
关闭。该功能允许禁用VR阶段
没有造成电感负输出电压摆幅
振铃，节省了肖特基二极管钳位。该PWM和
三态区域被滞后，以防止分离
误触发。该SiC789A采用PWM电压
阈值是3.3 V逻辑和兼容
SiC789阈值与5V逻辑兼容。
禁用（DSBL＃）
在低状态下，DSBL＃销关闭驱动器IC和
禁用高边和低边MOSFET。在这
状态，备用电流被最小化。如果DSBL＃留
悬空，内部下拉电阻将拉动销
以CGND并关闭IC。
预充电功能
当DSBL＃从下方VIL_DSBL＃驱动到上述
VIH_DSBL＃低端接通很短的时间
（60纳秒典型值），刷新自举电容的情况下，它
由于已经排到待机时的驾驶员是一个
长的一段时间。
二极管仿真模式（SMOD＃）
当SMOD＃是启用逻辑低二极管仿真模式
和低侧截止。这是一个非同步
转换模式，通过提高轻负载效率
降低开关损耗。发生在传导损失
当电感电流同步降压稳压器
负也可减少。电路在外部
控制器IC检测时，电感电流过零
并驱动下面VIL_SMOD＃SMOD＃车削低侧
MOSFET关断。该功能也可被用于
预偏置输出电压。如果SMOD＃悬空，一
内部上拉电阻将引脚上拉至VCIN（逻辑高电平），以
禁用SMOD＃功能。
热关断警告（THWN）
该THWN引脚为漏极开路信号旗的存在
过度的结温。连接，与一
最多20kΩ的，到VCIN。内部温度传感器
检测结温。气温
阈值为160℃。当这个结温
超出THWN标志被设置。当结
温度低于135℃的设备将清除
THWN信号。该SiC789和SiC789A不停止
当该标志被设置操作。该决定关闭
必须由外部温度控制功能进行。
开关节点，VSWH，是电路功率级输出。
这是施加到功率电感器和输出的输出
过滤以提供为降压转换器的输出。相
引脚内部连接到交换机的节点，VSWH。该引脚
是被专门用作返回引脚的BOOT
电容。一个20kΩ电阻连接GH之间
相提供的高边MOSFET的放电路径
这VCIN变为0，而VIN仍然是应用的事件。
接地连接（CGND和GND）
PGND（电源地）应在外部连接到
CGND（控制信号地）。印刷电路的布局
板应使得该电感分离CGND
和PGND被最小化。由于瞬时差异
与这两个引脚电感效应不应该
超过0.5 V
控制与驱动电源电压输入（VDRV，VCIN）
VCIN是偏置电源栅极驱动控制IC。 VDRV是
该偏置电源的栅极驱动器。建议
通过一个电阻器分开这两个引脚。这将创建一个低
低通滤波作用，以避免高频率门耦合
驱动器的噪音进入IC。
自举电路（BOOT）
内部自举二极管和外部自举
电容器形成电荷泵供给电压到
BOOT引脚。集成的自举二极管结合使
只有一个外部电容器是必要完成
自举电路。连接一个自举电容与一个
腿绑BOOT引脚和其他绑PHASE引脚。
贯通保护和自适应死区时间
所述SiC789和SiC789A具有内部自适应逻辑到
通过避免拍摄和优化死区时间。拍摄
通过保护确保高边和低边
MOSFET不会同时导通。自适应
死区时间控制操作如下。高侧和
低侧栅极电压进行监控，以防止
MOSFET的调优，直到对方接通
MOSFET的栅极电压足够低（<1 V）。内置
延迟也保证一个功率MOSFET是完全
关，另外之前可以接通。此功能可帮助
调节死区时间栅过渡变化相对于
的输出电流和温度。
欠压锁定（UVLO）
在启动周期，UVLO禁用门
开车，高举高侧和低侧MOSFET的栅极低，
直到电源电压轨已经达到了一个点处
逻辑电路可以安全地激活。该SiC789和
也SiC789A合并逻辑夹住栅极驱动
信号为零时，UVLO下降沿触发
关闭设备。为了以防万一，一个20千欧
电阻器连接GH和相之间，以提供一个
放电路径的高边MOSFET。
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