安盛半导体
网站首页 |公司介绍 |库存中心 |品牌中心 |新闻资讯 |在线询价 |联系我们
IC型号查找: 
安盛半导体
IC库存索引:A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
最新IC库存  
新闻资讯
当前位置:首页 > 新闻资讯  


MMPF0100F0AEP原装现货热销/Freescale品牌代理/价格/图片/PDF
发布时间:2015/12/9 11:15:00

 在操作期间,模具的温度应不超过表6指出的工作结温为了优化

热管理,避免过热,PF0100提供热保护。内部比较器监视
模具温度。中断THERM110I,THERM120I,THERM125I,和THERM130I将生成时的各
在表7中指定的阈值交叉在任一方向。的温度范围内可以通过读取来确定
THERMxxxS位寄存器INTSENSE0。
在功耗过大的情况下,热保护电路将关闭PF0100。这种热将保护
上述行为表7列出的热保护阈值为了避免任何不必要的功率起伏的内部噪声产生,
该保护去抖了8.0毫秒。这种保护应被认为是一个故障安全机构,因此,该系统
应当被构造成使得该保护不正常条件下跳闸。
概述
该PF0100是电源管理集成电路(PMIC),主要是为了与飞思卡尔的i.MX 6系列应用而设​​计
应用处理器。
5.1特性
本节总结了PF0100的特性。
•输入电压范围为PMIC:2.8 - 4.5 V
•降压稳压器
•四到六声道配置
•SW1A / B / C,4.5 A(单); 0.3到1.875 V
•SW1A / B,2.5 A(单/双); SW1C 2.0 A(独立); 0.3到1.875 V
•SW2,2.0 A; 0.4至3.3 V
•SW3A / B,2.5 A(单/双); 0.4至3.3 V
•SW3A,1.25 A(独立); SW3B,1.25 A(独立); 0.4至3.3 V
•SW4,1.0; 0.4至3.3 V
•SW4,VTT模式提供DDR终端在SW3A 50%
•动态电压缩放
•模式:PWM,PFM,APS
•可编程输出电压
•可编程电流限制
•可编程软启动
•可编程PWM开关频率
•可编程OCP与故障中断
•升压型稳压器
•SWBST,5.0~5.15 V,0.6 A,OTG支持
•模式:PFM和汽车
•OCP故障中断
•低压降稳压器
•六个用户可编程LDO
•VGEN1,0.80~1.55 V,百毫安
•VGEN2,0.80~1.55 V,250毫安
•VGEN3,1.8至3.3 V,百毫安
•VGEN4,1.8至3.3 V,350毫安
•VGEN5,1.8至3.3 V,百毫安
•VGEN6,1.8至3.3 V,200毫安
•软启动
•LDO /开关电源
•VSNVS(1.0 / 1.1 / 1.2 / 1.3 / 1.5 / 1.8 / 3.0 V)中,400A
•DDR内存参考电压
•VREFDDR,0.6~0.9 V,10 mA的
•16 MHz内部主时钟
•OTP(一次性可编程)存储设备配置
•用户可编程的启动顺序和时间
•电池支持的存储器,包括纽扣电池充电器
•I2C接口
•用户可编程的待机,睡眠和关机模式


  • 热销库存

    EP4SE360H2   EP4SE360F4   EP4SE290F3  
    EP4SE230F2   EP4SE110F2   EP4SGX530N  
    EP4SGX530K   EP4SGX530H   EP4SGX230K  
  • 优势库存

    EPF10K50FI   EPF10K50FI   EPF10K500V  
    EPF10K30AF   EPF10K200S   EPF10K200S  
    EPF10K50VB   EPM9560ABI   EPM8820ABI  
  • 热门IC品牌

    MICROCHIP   TOSHIBA   NXP  
    VISHAY   INFINEON   TI  
    AVAGO   ADI   ST  
  • 关于我们

  • 公司简介
  • 招聘信息
  • 联系我们


  • © 2013 -2017 深圳市安盛创科技有限公司 版权所有    粤ICP备12084219号