EP1AGX50DF1152I6N

EP1AGX35DF780I6N

EP1AGX50CF484C6N

EP1AGX50DF1152C6N

EP2AGX125EF29I6N

EP2AGX95EF35I6N

EP2A40B724I9N

EP2A40F1020I8N

EP2A40F672I8N

EP2A25F672I8N

EP2A25B724I7N

EP2A15FF672I8N

EP2A15B724I7N

EP2A15F672I8N

EP2AGX95EF35C6N

EP2AGX125EF35C5N

EP2A40B724C9N

EP2A40F1020C8N

EP2A40F672C8N

EP2A25F672C8N

EP2A25B724C7N

EP2A15FF672C8N

EP2A15B724C7N

EP2A15F672C8N

EP4SE530F40I3N

EP4SE290H29I2N

EP4SE290F40I2N

EP4SE680H35I3N

EP4SE680F43I3N

EP4SE680F40I3N

EP4SE360H29I2N

EP4SE360F40I2N

EP4SE290F35I2N

EP4SE230F29I2N

EP4SE110F29I2N

EP4SGX530NF45I2N

EP4SGX530KH40I2N

EP4SGX530HH35I2N

EP4SGX230KF40I2N

EP4SGX230HF35I2N

ESD测试

两个耦合方法用于ESD测试，接触

放电和空气间隙放电。接触放电要求一个

直接连接到本机进行测试。气隙放电

使用较高的试验电压，但不与直接接触

被测试的单元。随着空气间隙放电，放电枪

朝向被测单元移动时，显影跨过电弧

空气间隙，因此称为空气隙放电。此方法是

由湿度，温度，气压的影响，

的距离，和放电枪的关闭速率。接触

放电法，虽然不太现实，更多的是重复的，是

获得认同并优先于气隙方法。

虽然很少的能量被包含ESD脉冲内，

在极快的上升时间，加上高电压，可以

导致不受保护的半导体失效。灾难性

破坏可以为电弧放电的结果立即发生或

供暖。即使灾难性故障不会立即发生，

该设备可以从参数质量的损失，从而可以

导致性能下降。的累积效应

连续暴露可能最终导致彻底失败。

I / O线特别容易受到ESD损害。简直

接触或在插入的I / O电缆可导致一个静态

放电，可以破坏或完全破坏接口

产物连接到I / O端口。这是极为重要的，

因此，有高水平的I / O线ESD保护。

该ESD放电可能引起闩锁的设备下

测试，所以重要的是，在I ESD测试/ O引脚被

的同时进行装置施加电源。这种类型的测试是

比较有代表性的一个真实世界的I / O流量，其中，

设备运行正常，当放电发生。