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EP1AGX50DF1152I6N
EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
AD8033ARZ原装现货热销/ADI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2015/9/22 10:21:44 概述 该AD8033/ AD8034 FastFET™放大器电压反馈
放大器,具有FET输入,提供了易用性和优异的
性能。的AD8033是一个单一的放大器和AD8034
是一款双通道放大器。该AD8033/ AD8034 FastFET运算放大器的
ADI公司的专有XFCB工艺提供显著
性能改进和其他低成本FET放大器,如
低噪声(11内华达州/√Hz的0.7 FA /√Hz的)和高速(80兆赫
带宽和80 V /μs压摆率)。
具有宽电源电压范围为5 V至24 V和充分
操作上单电源供电时,AD8033/ AD8034放大器
比同等价位的FET输入更多的应用工作
放大器。此外,AD8033/ AD8034具有轨至轨
产出增加了多功能性。
尽管他们的成本低,该放大器可提供出色的整体
性能。他们提供了一个高共模抑制
-100分贝,低输入偏移2毫伏最大电压,和低
11内华达州/√Hz的噪声。
特征
FET输入放大器
1 pA的典型输入偏置电流
成本极低
高速
80兆赫,-3 dB带宽(G=+1)
80 V /μs压摆率(G=+2)
低噪音
11内华达州/√Hz的(F =100千赫)
0.7 FA /√Hz的(F =100千赫)
宽电源电压范围:5 V至24 V
低失调电压:1 mV的典型
单电源和轨到轨输出
高共模抑制比:-100分贝
低功耗3.3毫安/放大器的典型电源电流
无反相
小包装:8引脚SOIC,8引脚SOT-23和5引脚SC70
应用
仪表
过滤器
电平转换
缓冲
最大功耗
在AD8033/ AD8034的最大安全功耗
包是由结温受限于相应
(TJ)管芯上。局部地封装模具中的塑料
到达结点温度。在150°C左右,
它是玻璃化转变温度,塑料改变其
属性。即使只是暂时超过这一温度限值
可以改变应力的封装对芯片作用,
永久性地转变AD8033的参数性能/
AD8034。超过175℃下的结温
长时间可导致变化的硅器件,潜在地
导致失败。
气流可增强散热,从而有效降低θJA。于
此外,更多金属直接与封装引脚接触
金属走线,通孔,接地和电源层
降低θJA。必须小心,以尽量减少寄生
所讨论的电容在高速运算放大器输入引脚
在布局,接地和旁路考虑部分。
图5示出在包装的最大功耗
对环境温度为8引脚SOIC(125°C / W),
5引脚SC70(210°C / W),以及8引脚SOT-23(160°C / W)封装
在JEDEC标准4层板。 θJA值都是近似值。
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